离子膜制碱整流设备选型及损耗计算(7)

可以参考

元件正向峰值压降UTM≤1.15V,门槛电压UTO=0.96V,斜率电阻RT为0.098（豪欧），整流柜额定输出时，流过元件的实际平均电流IF(AV)=1237A,元件压降为：

UTMN=0.96+0.000098×1237=1.08V

1)、元件正向功率损耗：

P1=SUTMNIDN=2×1.08×14.85=32KW

2)、元件的反向损耗：

P2=NBNPIRRM/S×UDN=(12×2×14.85×10/2)=0.06KW

3)、每柜快熔损耗:

P3=IF×RFU×NP=3KW

4)、母线损耗：

整流柜内合金母线电阻：R I=0.03499(L/S)

A、柜元件损耗

R41=7.9×10欧

P41=2NBIVPR41(NP+1)(2NP+1)/6NP=2.17KW

B、快熔母线损耗:

R42=7.9×10欧

P42=2NBIVPR41(NP+1)(2NP+1)/6NP=0.96KW

C、元件与快熔间连接母线损耗：

R43=7.2×10欧

P43=12/NPIVPR42=0.79KW

母线总损耗： 2-622-622-62-3