哈尔滨工业大学《半导体物理》考研大纲_哈工大考研论坛

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哈尔滨工业大学《半导体物理》考研大纲

半导体物理》考试大纲

考试科目名称：半导体物理Ⅱ考试科目代码：[829]

一、考试要求：

要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半导体的物理性能。要求考生对半导体的晶体结构和能带论、载流子统计分布、载流子输运过程、p-n结理论、金属-半导体接触理论、半导体光电效应等基本原理有很好的掌握，并能熟练运用分析半导体的光电特性。

二、考试内容：

1）半导体晶体结构和能带论

a:半导体晶格结构及电子状态和能带

b:半导体中电子的运动

c:本征半导体的导电机构

d:硅和锗及常用化合物半导体的能带结构

2)杂质半导体理论

a:硅和锗晶体中的杂质能级

b:常用化合物半导体中的杂质能级

c:缺陷、位错能级

3)载流子的统计分布

a:状态密度与载流子的统计分布

b:本征与杂质半导体的载流子浓度

c:一般情况下载流子统计分布

d:简并半导体

4)半导体的导电性

a:载流子的漂移运动与散射机构

b:迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系

c:多能谷散射、耿氏效应

5)非平衡载流子

a:非平衡载流子的注入、复合与寿命

b:准费米能级

c:复合理论、陷阱效应

d:载流子的扩散、电流密度方程

e:连续性方程

6)p-n结理论

a:p-n结及其能带图

b:p-n结电流电压特性

c:p-n结电容、p-n结隧道效应

7)金属-半导体接触理论

a:金-半接触、能带及整流理论

b:欧姆接触

8)半导体光电效应

a:半导体的光学性质（光吸收和光发射）

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b:半导体的光电导效应

c:半导体的光生伏特效应

d:半导体发光二极管、光电二极管

三、试卷结构：

a)考试时间：180分钟，满分：150分

b)题型结构

a:概念及简答题（60分）

b:论述题（90分）

c）内容结构

a:半导体晶体结构和能带论及杂质半导体理论（30分）

b:载流子的统计分布（20分）

c:半导体的导电性（20分）

d:非平衡载流子（20分）

e:p-n结理论和金属-半导体接触理论(30分)

f:半导体光电效应(30分)

四、参考书目

1.刘恩科，朱秉升，罗晋升编著.半导体物理学.电子工业出版社,2011.03.

2.[美]施敏（S.M.Sze），半导体器件物理，电子工业出版社，1987.12.文章来源：文彦考研