GT21L16S2W用户手册V35(8)

介绍高通汉字库芯片的操作时序,官方版本

3 操作指令

3.1 指令参数

Instruction Set

READ FAST_READ

所有对本芯片的操作只有2个，那就是Read Data Bytes (READ “一般读取”)和Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ “快速读取点阵数据”)。

Read Data Bytes Read Data Bytes at Higher Speed

Instruction Code(One-Byte)

03 h 0B h

Address Dummy Bytes Bytes

3 3

— 1

Data

Bytes 1 to ∞ 1 to ∞

0000 00110000 1011

3.2 Read Data Bytes（一般读取）

Read Data Bytes需要用指令码来执行每一次操作。READ指令的时序如下(图)：

首先把片选信号（CS#）变为低，紧跟着的是1个字节的命令字（03 h）和3个字节的地址和通

过串行数据输入引脚（SI）移位输入，每一位在串行时钟（SCLK）上升沿被锁存。

然后该地址的字节数据通过串行数据输出引脚（SO）移位输出，每一位在串行时钟（SCLK）下

降沿被移出。

读取字节数据后，则把片选信号（CS#）变为高，结束本次操作。

如果片选信号（CS#）继续保持为底，则下一个地址的字节数据继续通过串行数据输出引脚（SO）移位输出。

图：Read Data Bytes (READ) Instruction Sequence and Data-out sequence: