MOSFET单相全桥无源逆变电路(7)
时间:2026-01-16
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4 主电路设计及参数选择
4.1 主电路仿真图
在本次设计中,主要采用单相全桥式无源逆变电路(电阻负载)作为设计的主电路。由于软件上的电源等器件都是理想器件,故可将直流侧并联的大电容直接去掉。由以上工作原理概论的分析可得其主电路仿真图如下所示:
图2 MOSFET单相全桥无源逆变电路(电阻负载)电路
4.2 参数计算
电阻负载,直流侧输入电压
=100V, 脉宽为θ=90°的方波,输出功率
为300W,电容和电感都设置为理想零状态。频率为1000Hz
由频率为1000Hz即可得出周期为T=0.001s,由于V3的基波信号比V1的落后了90度(即相当1/4个周期)。
通过换算得:
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