一兰大连理工大学硕士学位论文式中，Ｉｏ为硅光电池Ｐ－Ｎ结的反向饱和电流；Ｊ。为稳定状态下的负载电流；Ｊ。为硅光电池在光照下产生的恒定电流；％为稳定状态下的负载电压；ｑ为电子电荷（１．６＂１０１℃）；Ｋ为玻尔兹曼常数（１．３８，１０－。Ｊ／Ｋ）；Ｔ一绝对温度。根据上式作出硅光电池的伏安特性曲线，如图３．４所示。舳宅臻脚啪∞∞ｏ图３．４硅光电池伏安特性曲线Ｆｉｇ．３．４Ｖｏｌｔ－ａｍｐｅｒｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｏｆｓｉｌｉｃｏｎｐｈｏｔｏｃｅｌｌ曲线与电流轴和电压轴的和交点分别定义为光电池的短路电流ｋ和开路电压‰。硅光电池的ｐｋ一般为０．４５加．６ｖ，最大不超过０．７５６Ｖ，因为它不能大于ＰＮ结热平衡时的接触电势差【”】。在电阻负载时，负载线为一直线，其斜率由负载电阻的大小决定，负载线与伏安特性曲线的交点肘（珞，Ｉ。）称为负载工作点，负载电阻从光电池获得的功率为乓＝Ｉ。ｘＶ，相当于图中矩形的面积，能使矩形面积最大负载电阻称为最佳电阻，能从光电池获得最大输出功率，一般应选在特性曲线的转弯处。最佳负载从光电池获得的最大输出功率一般为Ｏ．８‰ｋ。ｙ品、厶。的数值可以由伏安特性方程求得。当光电池处于短路状态时ＲＬ＝０，％＝０则厶＝Ｉｓｃ 当光电池处于开路状态时ＲＬ＊ＯＯ，Ｉｘ＝０则％＝Ｒｏｃ．在室温下Ｋｒ／ｑ＝ｏ．０２５，Ｌ＂Ｉｏ，屯”１ 所以：‰＝０．０５７１ｎ每㈣ｚ，