电子科大模拟电路期中考试题

电子科大期中试题

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学二零零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 中 考试

模拟电路基础 课程考试题 A 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 开卷 考试日期 2009 年 11月 14日

课程成绩构成：平时 10 分， 期中 30 分， 实验 0 分， 期末 60 分

一（40分）、简答题 1．（8分）试画出晶体三极管BJT的直流模型和处于放大状态时的简化交流小信号模型。 答：画出截止、饱和状态直流模型--------（2分） 画出放大状态直流模型--------（2分）

2．（8分）稳压二极管正常工作时为什么需要限流电阻？

答：使稳压二极管工作在稳压区（IZmin≤IZ≤IZmax）---------(8分) 3．（8分）试总结射极跟随器的主要特点。

答：同相放大器，电压增益小于且近似等于1，有电流增益--------（6分） 在三种基本组态放大器中，输入电阻最大，输出电阻最小------（2分） 4．（8分）试画出判定晶体三极管BJT工作状态的流程图，或写出判定步骤。

答：（1）首先判断BJT发射结的偏置状态，若发射结未正偏导通，则BJT处于截止状态----（2分） （2）若发射结正偏导通，再判断集电结的偏置状态，决定BJT是处于放大还是饱和状态，通常采用假定放大状态法----（2分）

（3）假定BJT处于放大状态，此时BJT可用放大状态下的直流等效模型替代，由所给的偏置电路计

算集电极的电位，判断集电结是正偏还是反偏；若集电结反偏，说明BJT处于放大状态；反之，说明BJT处于饱和状态----（4分）

5．（8分）给出估算BJT基本共射放大电路动态范围的步骤。 答：（1）由直流通路计算静态工作点----（2分）

（2）由交流通路写出交流负载线方程，并在输出特性曲线平面上画出交流负载线----（2分） （3）计算最大不截止失真幅度VCE(cut)和最大不饱和失真幅度VCE(sat)----(2分)

画出简化交流小信号模型--------（4分）

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（4）确定动态范围Vom=min[VCE(cut), VCE(sat)]----(2分)

二（30分）、 电路如图1所示。 已知BJT的 100,V 0.7V,V

BECES

R

0.1V,rbb 0,V

CC

12V,Rb1 21k ,Rb2 5k ,

C1

2k ,RC2 100 ,Re1 300 ,Re2 700 ,RL 2k ,C1 C2 10 F,C3 Ce 100 F。

1．画出直流通路，计算静态工作点Q（V、I）；

CEQ

CQ

2．画出交流通路，计算放大器在中频段的Ri、Ro、Av; 3．若电容C3开路，对电路会产生什么影响？ 4. 若电容Ce开路，对电路会产生什么影响？ 5. 试确定vce的动态范围。

图1

解：1.正确画出直流通路----（2分）

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(Re1 Re2) 10(Rb1//Rb2) (1分)

VB

Rb2Rb1 Rb2

CC 2.3V (1分)

1.6mA (1分)

ICQ IEQ

VB VBERe1 Re2

VCEQ VCC IC(Rc1 Rc2 Re1 Re2) 7.04V (1分)

2. 正确画出交流通路----（2分）

rbe r

bb

/

(1 )

26mVIEQ

1.64k (1分)

Ri (Rb1//Rb2)//[rbe (1 )Re1] 3.586k (2分)Av

(Rc1//RL)

rbe (1 )Re1

3.13 (2分)

Ro Rc1 2k (2分)

3. Av增大---------（2分） Ro增大---------（2分） 4. Av减小---------（2分） Ri增大---------（2分） 5.交流负载线方程

vCE VCEQ ICQ[(Rc1//RL) Re1] iC[(Rc1//RL) Re1]

VCC iC[(Rc1//RL) Re1] (4分)

vCE(cut) VCC VCEQ ICQ[(Rc1//RL) Re1] 2.08V (1分)vCE(sat) VCEQ VCES 6.94V (1分)

vce(p p) 2min[vCE(cut),vCE(sat)] 4.16V (1分)

//

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三（15分）、电路如图2所示，晶体管参数为V

2

1V,K 1mA/V, 0。电路参数为

TN

nVDD 15V,Ri 300k 。

1．设计电路参数，使I

DQ

1.7mA,VDSQ 9V；

2．求小信号电压增益A

vo和输出电阻v

R；

vo

i

3．估算最大不失真输出电压Vomax

.

图2

解：1.

VDSQ VDD IDQRS RS 3.53kΩ

I V2

DQ Kn(VGSTN) VGS 2.3V (2分）

VV

S DD VDSQ 6V,VG VS VGS 8.3V

VR2G

R

R21 RVDD2

R0.55

1 R 2

Ri RR1R21//R2 300kΩ R 300

(3分)1 R2

R1 546kΩ,R2 653kΩ

2

. g 1

m 2.61mS,rds

I (1分)

DQ

Av

vov

gmRS 0.9 (1分)

i

1 gmRSR1o RS//

g 346Ω (1分)

m

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3．交流负载线方程

vDS VDSQ IDQRs iDRs VDD/ iDRs 15 3.53iD (2分)

预夹断方程

iD KnvDS2 vDS2 (1分)

联立求解上述两方程可得：V

DSt

1.93V (2分)

Vom min[(VDD/ VDSQ),(VDSQ VDSt)] 6V (2分)

四、（15分）电路如图3所示。图中所有晶体管均为硅管，三极管的 100，稳压二极管DZ的稳定电压V

Z

2V。假设输出直流电压为零，求中间级的静态工作点Q(VCEQ,ICQ)。

图 …… 此处隐藏：761字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……