差分信号电路的设计

第二章Ｉ／Ｏ工作原理及特性７

表２．１集成电路产品的ＥＳＤ规格

人体放电模式机器放电模式组件充电模式

（Ｈｕｍａｎ－Ｂｏｄｙ（Ｍａｃｈｉｎｅ（Ｃｈａｒｇｅｄ－Ｄｅｖｉｃｅ

Ｍｏｄｄ）Ｍｏｄｄ）ＭｏｄｅＤ

Ｏｋｅｙ２０００Ｖ２００Ｖ１０００Ｖ

Ｓａｆｅ４０００Ｖ４００Ｖ１５００Ｖ

Ｓｕｐｅｒ１００（）ｏＶ１０００Ｖ２】∞ＯＶ

人体放电模式（ｔｒａＭ）的ＥＳＤ是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体

上已累积了静电，当此人去碰触到Ｉｃ时，人体上的静电便会经由ＩＣ的脚（ｐｉｎ）而进入ＩＣ内，再经由ＩＣ放电到地去；

机器放电模式的ＥＳＤ是指机器（例如机械手臂）本身累积了静电，当此机器去

碰触到ＩＣ时，该静电便经由ＩＣ的ｐｉｎ放电；

组件充电模式是指ＩＣ先因磨擦或其它因素而在Ｉｃ内部累积了静电，但在静

电累积的过程中ＩＣ并未被损伤。此带有静电的ＩＣ在处理过程中，当其ｐｉｎ去碰触到接地面时，ＩＣ内部的静电便会经由ｐｉｎ自ＩＣ内部流出来，而造成了放电的现象：

ＦＩＭ模式的静电放电发生是因电场感应而起的。当ＪＣ因输送带或其它因素

而经过一电场时，其相对极性的电荷可能会自一些ｌＣ脚而排放掉，等ＩＣ通过电场之后，ｌｃ本身便累积了静电荷，此静电荷会以类似ＣＤＭ的模式放电出来。

在微电子技术飞速发展的今天，在对Ｉｃ特性要求越来越高的情况下，尤其对于

复杂电磁环境中的Ｉｃ，怎样处理好ＥＳＤ的保护问题很值得我们去认真地考虑。

２．２通常Ｉ／Ｏ的性能指标

Ｉ／０工作的好坏主要由％，％＋，％一，匕，Ｌ等许多性能指标来决定，表２－１为某款Ｉ／０部分性能指标。根据不同的驱动能力厶，Ｌ可以分为很多档，这里只是列举驱动电流为２ｍＡ情况下Ｌ，Ｌ的值。

ＳｙｍｂｏｌＰａｒａｍｅｔｅｒＭｉＩＩ．ＮｏｒｆｆｌＭａｘ

Ｖ１．ＩｎｐｕｔＨｉｇｈＶｏｌｔａｇｅ１．７Ｖ５．５Ｖ

妇ＩｎｐｕｔＬｏｗＶｏｌｔａｇｅ＿ｏ．３ＶＯ．７Ｖ

ｖＴＴｈｒｅｓｈｏｌｄｐｏｉｎｔ１－２９Ｖ１．３９Ｖ１．５Ｖ

ＶＴ＋ＳｃｈｍｉｔｔｔｒｉｇＬＯｗｔｏＨｉｇｈｔｈｒｅｓｈｏｌｄｐｏｉｎｔ１．５８Ｖ１．６５Ｖ１．７１Ｖ

ＶＴ－Ｓｃｈｍｉｔｔｔｒｉｇ．ＨｉｇｈｔｏＬｏｗｔｈｒｅｓｈｏｌｄｐｏｉｎｔ０．９５Ｖ１．０１Ｖ１．０６Ｖ

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