photoMOS光耦继电器AQW214S

photoMOS光耦继电器AQW214S规格书

型号： AQW214S

特点： 实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型 封装： SOP8

端子形状： Surface-Mount

包装方式： Tube packing

连续负载电流： 0.08A

负载电压： 400 V

导通电阻(平均)： 30 ohm

输出端子间容量(平均) ：45 pF

国外标准： UL, C-UL, BSI

触点结构： 2a

耐电压： 1500V AC

导通电阻(最大)： 50 ohm

开路状态漏电流(最大)： 1μA

最大允许LED电流： 50mA

LED反向电压： 5V

最大正向电流： 1A

部允许损耗： 75mW

动作LED电流(平均)： 0.9mA

动作LED电流(最大)： 3mA

复位LED电流(最小)： 0.4mA

复位LED电流(平均)： 0.8mA

LED压降(最大)： 1.5V

动作时间(平均)： 0.21ms

复位时间(平均)： 0.04ms

全部允许损耗： 650mW

使用环境温度： -40℃～+85℃

保存温度： -40℃～+100℃

输入/输出间端子容量(平均)： 0.8pF

输入/输出间端子容量(最大)： 1.5pF

输入/输出绝缘电阻(最小)： 1000 M ohm

推荐动作条件(输入LED电流)： 5mA