模拟电子技术基础第三版

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V

五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE

＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO＝UCE＝2V。

2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所示。 1.4 ui和uo的波形如图所示。

模拟电子技术基础第三版

1.5 uo的波形如图所示。

1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。

1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。

1.9 （1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 UO

RL

R R UI 3.33V

L

当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。

当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。

（2）IDZ (UI UZ)R 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S闭合。

（2）Rmin (V UD)IDmax 233 ，Rmax (V UD)IDmin 700 。

1.11 波形如图所示。

1.12 60℃时ICBO≈32μA。

1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。

1.14

模拟电子技术基础第三版

1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。

当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为

IBQ

VBB UBEQ

RbVBB UBEQ

Rb

60μA，ICQ IBQ 3mA，uO VCC ICQRC 9V

当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为

IBQ 160μA，ICQ IBQ 8mA，uO VCC ICQRC＜UBE

1.17 取UCES＝UBE，若管子饱和，则

VCC UBEVCC UBER

，Rb RC，所以 b 100管子饱和。

RbRCRC

1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。

当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为

IB

uI UBE

480μARb

IC IB 24mA

UEC VCC ICRC＜VCC

1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能

1.20 根据方程

iD IDSS(1

uGS2

)

UGS(th)

逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21

1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。

1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。

模拟电子技术基础第三版

1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能 一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）× 二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能

（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e）不能。因为输入信号被C2短路。

（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。

（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。

三、（1）(VCC UBEQ)IBQ 565 ； (VCC UCEQ)（2） Uoi -120 ； IBQ 3

RL'

Uo 0.3

RC＋RL

四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D 六、

2.1

大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大

2.2（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且加输入耦合电容。

（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。

2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。

2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。

带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√

（9）√ （10）× （11）× （12）√

2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7

模拟电子技术基础第三版

Q：ICC UBEQ

BQ

VR

UBEQb

R

22μA

ICQ IBQ 1.76mA

空载时：UCEQ VCC ICQRc 6.2V， rbe rbb' (1 )26mV

I 1.3k EQ

A Ru

c

r 308

be

Ri Rb∥rbe rbe 1.3k A rus

be

R r A u

93sbe

Ro Rc 5k RRL 3k 时：UCEQ L

R R ICQ(Rc∥RL) 2.3V

cL

A R'

u L

r 115

be

A rus

be

R A u

47s rbe

2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。 （b）截止失真，减小Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。

2.9 （a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止失真

2.10 （1）

IVCC UCEQ

CQ

R 2mA

c IICQ

BQ

20μA

RVCC UBEQ

b

I 565k

BQ

（2）

A u UoU 100 A u RL'

'

rRL 1k ibe

1

R 1 1 RL 1.5k cRL

2.11 空载时，UUCEQ UCES

om

2

3.28V

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RL 3k 时，Uom

2.12 ② ① ② ① ③

③ ② ① ③ ① ③ ③ ① ③ ③ 2.13（1）静态及动态分析：

'

ICQRL

2

2.12V

UBQ IBQ

UBQ UBEQRb1

VCC 2V IEQ 1mA

Rb1 Rb2Rf ReIEQ

10μA UCEQ VCC IEQ(Rc Rf Re) 5.7V

26mV

2.73k IEQ

1

rbe rbb' (1 )

(Rc∥RL) 7.7Au

rbe (1 )Rf

Ri Rb1∥Rb2∥[rbe (1 )Rf] 3.7k Ro Rc 5k

减小，A ≈－1.92。 (2) Ri增大，Ri≈4.1kΩ；Auu

2.14 Q:IBQ

VCC UBEQR1 R2 (1 )Rc

ICQ IBQ UCEQ VCC (1 )IBQRc

R2∥R3 R r∥R R R∥R Auibe1o23

rbe

2.15 Q点：

IBQ (

R2

VCC UBEQ)R2∥R3＋(1＋ )R1]

R2 R3

ICQ IBQ UCEQ VCC ICQRc UBEQ

动态：

Au

2.16

R4

rbe

Ri R1∥

rbe

Ro R4 1

模拟电子技术基础第三版

IVCC UBEQ1

BQ1

R

UBEQ1 IBQ1

1 R2

RICQ2 ICQ1 3

UCQ2 VCC ICQ2R4UBQ2

R2

R(VCC UBEQ1) UBEQ1

1 R2

UCEQ1 UBQ2－UBEQ2

UCEQ2 UCQ2－UBQ2 UBEQ2 r1

be2

A 1 u1

2

rA 2u21R4rA u A u1A u2

be1be2

Ri R2∥R3∥rbe1 Ro R4

2.17 A u1 1 A u2

1 图略。 2.18 （1）求解Q点：

IVCC UBEQBQ

R32.3μA

b (1 )R e

IEQ (1 )IBQ 2.61mA

UCEQ VCC IEQRe 7.17V

（2）求解电压放大倍数和输入电阻：

RL ：Ri Rb∥[rbe (1 )Re] 110k A (1 )Ru

e

r(1 )R 0.996

be e

RL 3k ：Ri Rb∥[rbe (1 )(Re∥RL)] 76k A (1 )(Ru

e∥RL)

r )(R 0.992

be (1e∥RL)

（3） 求解输出电阻：RRo Re∥s∥Rb rbe

1

37

2.19 (1)

模拟电子技术基础第三版

Q：IBQ

VCC UBEQRb (1 )Re

31μA ICQ IBQ 1.86mA

UCEQ VCC IEQ(Rc Re) 4.56V

rbe rbb' (1 )

26mV

952 IEQ

Ri Rb∥rbe 952 (Rc∥RL) 95 Au

rbe Ro Rc 3k

(2)

Ri

Us 3.2mV

Rs Ri

304mVUo AuiUi

若Ce开路，则

Ri Rb∥[rbe (1 )Re] 51.3k

Rc∥RL 1.5Au

ReRi

Us 9.6mV

Rs Ri

14.4mVUo AuiUi

2.20（a）源极加电阻RS。 （b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。

（c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD

2.21 （1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。

在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。 （2）gm

iD uGS

UDS

2UGS(off)

IDSSIDQ 1mA/V

gR 5 R 1M R R 5k AumDioD

2.22 （1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V

从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V （2）求电压放大倍数：

gm

2UGS(th)

IDQIDO 3V

gR 20AumD

2.23

模拟电子技术基础第三版

Au gm(RD∥RL)

Ri R3 R1∥R2

R0 RD

2.24 （a）× （b）× （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。 （d）× （e）× （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。 （g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。 一、（1）× （2）√√ （3）√× （4）× （5）√ 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/ Re3＝0.3mA IE1＝IE2＝0.15mA

（2）减小RC2。

当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE / RC4＝0.6mA。

IRC4 IC2 IB4 0.14mARIE4RE4 BEQ4

C2

I 7.14k

RC2

rbe2

r)26mV

bb' (1 I 10.7k

EQ2

rbe4 rmV

bb' (1 )

26I 2.74k EQ4

A u1

Rc2∥[rbe4 (1 )Re4] 2 r 16.5be2

A Ru2

c4

r (1 )R 18

be4e4

A u A u1 A u2

2973.1 （a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基

（e）共源，共集 （f）共基，共集

3.2 图（a）

A 1 R2∥[rbe2 (1 2)R3] (1 2)R3u

R1 rbe1rbe2 (1 2)R3

Ri R1 rbe1

Rrbe2 R2o R3∥

1 2

图（b）

A (1 Ru

1)2∥R3∥rbe2 (1 ( 2R

4r)

be11)(R2∥R3∥rbe2)rbe2

Ri R1∥[rbe1 (1 1)(R2∥R3∥rbe2)]

Ro R4

图（c）

模拟电子技术基础第三版

A u

1 R2∥[rbe2 (1 2)rD R [ 2R3

r)r]1 rbe1be2 (1 2D

Ri R1 rbe1

Ro R3

图（d）

A u [ gm(R4∥R6∥R7∥rbe2

)] ( 2R8r)be2

Ri R3 R1∥R2

Ro R8

3.3 （1）（d）（e） （2）（c）（e） （3）（e） 3.4 图（a）

1

rbe2

A 1 u1

2

rbe1

A u2

2R3r 125be2

A u A u1 A u2

125

Ri R1∥R2∥rbe1 0.93k Ri R3 3k

图（b）

A 1 (R1∥rbe2)u1

r 50be1

A u2

2R4r 42be2

A u A u1 A u2

2100

Ri (R5 R2∥R3)∥rbe1 1.2k Ri R4 1k

3.5 图（c）

A 1 (R3∥rbe2)u1

r 62be1

A u2

2R4r 107be2

A u A u1 A u2

6634

Ri R1∥rbe1 1.5k Ri R4 2k

图（e）

模拟电子技术基础第三版

A u1 gm R2∥[rbe (1 )R4] gmR2

6A (1 )Ru2

4

r )R 1

be (14

A u A u1 A u2

6

Ri R1 10M Rrbe R2

o R4∥

1

43

3.6

(RRW

(1) A uO

c

d

) u I

rbe

(Rc RW)

Rc

(2) uC1

2r uI uC2

be

2r uI

be

uO uC1 uC2RW

A ud

O

(Rc

) u I

rbe

3.7

U IRVEE UBEQBEQEQ W

2

2IEQRe VEE，IEQ R 0.517mA

W2

＋2Re rr)26mV

be bb' (1 I 2.66k

EQ

A Rc

d

97r )

RW

be (12

Ri 2rbe (1 )RW 10.4k

3.8

uuIC I1 uI2

2

15mV

uId uI1 uI2 10mV

Ac

d

R2r 67

be

uO AduId 0.67V

3.9 （1） R'

L Rc∥RRL 6.67k V'

CC

L

R VCC 5V

c RL

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IVEE UBEQ

EQ

2R 0.265mA

e

U''

CQ1 VCC ICQRL 3.23V

UCQ2 VCC 15V

（2） △uO＝uO－UCQ1≈－1.23V

r26mA

be rbb' (1 )I 5.1k EQA R'

d

L

2(Rr 32.7

b be)

u uO

I

A 37.6mV

d

uO AduI 0.327VuO UCQ1 uO 2.9V

3.10

R1 2(Rc∥

L

) Ad r

be1 (11)rbe2

Ri 2[rbe1 (1 1)rbe2]

3.11 Ad＝－gmRD＝－40 Ri＝∞ 3.12 A1

d 2

gm RD 1600 Ri＝∞

3.13

A u1

1 R2∥[rbe4 (1 4)R5 2rbe1

A u2

4 R6∥[rbe4 (1 4)R5 2rbe1

A (1 u3

5)R7

rbe5 (1 5)R7

A u A u1A u2A u2

Rrbe5 Ro R7∥

6

1 5

模拟电子技术基础第三版

3.14 （1）

Uo

VCC UCEQ

2

u

7.78V

U

Ui o 77.8mV

A

（2） 若Ui＝10mV，则Uo＝1V（有效值）。

若R3开路，则uo＝0V。若R3短路，则uo＝11.3V（直流）。 一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、IC2 IR

VCC UBE2 UBE1

100μA

R

四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。

（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。

第二级共射放大电路以T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。

第三级加偏置电路，利用D1、D2消除交越失真。 五、（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④ 4.1 输入级、中间级、输出级和偏置电路。

输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。

对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。 对中间级的要求：放大倍数大。

对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压即可能大。 4.2 20lgAod 100 dB，Aod 105。

uO 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A1－通用型，A2－高精度型，A3－高阻型，A4－高速型。 4.4

VCC UBE4 UBE0

100μA

R

3IC3I

IR IC0 IB4 IC0 B IC

1 (1 )

2 IC 2 IR

3

IR

当 (1 )＞＞3时，IC1 IC2 IR 100μA。

4.5

模拟电子技术基础第三版

VCC UEB

200μA (其中UEB 0.7V)R

I

IR IC IB IC0 C0IR

IC0

IR

160μA 1

IC1 IC0 160μAIC2 2IC0 320μA

4.6 Au

uO

uI

iD(rDS1∥rDS2)

uI

gm(rDS1∥rDS2)

4.7 在图（a）（b）所示电路中

iD1 iD2 iD3 iD4， iO iD2 iD1 2 iD1

iOgm

(uI1 uI2)

图（a）中：

Au

uO

(uI1 uI2)

(uI1 uI2)

iO(rDS2∥rDS4) -gm(rDS2∥rDS4)

图（b）中：Au -gm(rDS2∥rDS4)

4.8（1）T1和T2、组成的复合管为放大管，T5和T6为有源负载，双端输入、单端输出的差分放大电路。 （2）Ai

iO

(1 ) iI

4.9 同题4.8。 4.10（1）

Au1

Au2

Rc1∥Rc2rbe3

rbe3

rbe1

Au Au1 Au2

（2）当有共模输入电压时，uO=0。

Rc1＞＞rD，△uC1＝△uC2，因此△uBE3＝0，故uO=0。 4.11 （1）C （2）C （3）B （4）A

4.12 因为UBE3＋UCE1＝2UD ，UBE1≈UD ，UCE1≈UD，所以UCB≈0，反向电路为零，

模拟电子技术基础第三版

因此ICBO对输入电流影响很小。

4.13（1）因为β＞＞2，所以iC2≈iC1≈iI2 。 （2） iB3＝iI1－iC2≈iI1－iI2

（3）

uO iC3Rc 3 iB3Rc

Aui uO (iI1 iI2) uO iB3 3Rc

4.14 图（a）所示电路中，D1、D2使T2、T3微导通，可消除交越失真。

R为电流采样电阻，D2对T2起过流保护。当T2导通时，uD3＝uBE2＋iOR－ uD1，未过流时iOR较小， uD3因小于开启电压而截止；过流时uD3因大于开启电压而导通，为T2基极分流。D4对T4起过流保护，原因与上述相同。

图（b）所示电路中，T4、T5使T2、T3微导通，可消除交越失真。

R2为电流采样电阻，T6对T2起过流保护。当T2导通时，uBE6＝uBE2＋iOR－ uBE4，未过流时iOR较小，因uBE6小于开启电压T6截止；过流时6因大于开启电压T6导通，为T2基极分流。T7对T3起过流保护，原因与上述相同。

4.15 （1）为T1提供静态集电极电流、为T2提供基极电流，并为T1的有源负载。 （2）T4截止。因为uB4＝uC1＝uO＋uR＋uB2＋uB3，uE4＝uO，uB4＜uE4。 （3）T3的射极电流，在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。

（4）保护电路。uBE5＝iOR，未过流时T5电流很小；过流时使iE5＞50μA，T5更多地为T5的基极分流。

4.16 T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－消除交越失失真。 4.17 （1）u11为反相输入端，u12为同相输入端。

（2）为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。

（3）为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载。 （4）消除交越失真。

4.18 （1）由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。 （2）三级放大电路：

T1～T4－共集-共基差分放大电路，T14～T16－共集-共射-共集电路，T23、T24－互补输出级。

（3）消除交越失真。UBE23＋UBE24＝UBE20＋UBE19 一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C

二、（1）静态及动态分析估算：

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VCC UBEQ

IBQ

R 22.6μA

b

IEQ (1 )IBQ 1.8mAUCEQ VCC ICQRc 3Vr26mV

b'e rbb' (1 )

I 1.17k EQ

r

be rbb' rb'e 1.27k Ri rbe∥Rb 1.27k gIEQm U 69.2mA/V

T

ARus

i

R rb'e( gmRc) 178

s Rirbe

（2）估算C‘

π：

f 0

T

2πrb'e(Cπ Cμ)

C

2πrμ 214pF

b'ef CT

C '

C (1 gmRc)Cμ 1602pF

（3）

R rb'e∥(rb'b Rs∥Rb) rb'e∥(rb'b Rs) 567

fH

1

2πRC'

175kHzπ

f1

L

2π(R 14Hz

s Ri)C

（4）20lgA usm 45dB，频率特性曲线略。

三、（1）60 103

（2）10 10 （3）103100jf

(1 10jf)(1 jff或

fff 104)(1 j105)(1 j10)(1 j104)(1 j10

5)

5.1（1）

1

2π(R ① ①

S Rb∥rbe)C1