模拟电子技术基础第三版课后习题答案

模拟电子技术基础第三版

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V

五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE

＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO＝UCE＝2V。

2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所示。 1.4 ui和uo的波形如图所示。

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1.5 uo的波形如图所示。

1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。

1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。

1.9 （1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 UO

RL

R R UI 3.33V

L

当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。

当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。

（2）IDZ (UI UZ)R 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S闭合。

（2）Rmin (V UD)IDmax 233 ，Rmax (V UD)IDmin 700 。

1.11 波形如图所示。

1.12 60℃时ICBO≈32μA。

1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。

1.14

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1.16 当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。

当VBB＝1V时，T处于放大状态。因为

IBQ

VBB UBEQ

RbVBB UBEQ

Rb

60μA，ICQ IBQ 3mA，uO VCC ICQRC 9V

当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为

IBQ 160μA，ICQ IBQ 8mA，uO VCC ICQRC＜UBE

1.17 取UCES＝UBE，若管子饱和，则

VCC UBEVCC UBER

，Rb RC，所以 b 100管子饱和。

RbRCRC

1.18 当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。

当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为

IB

uI UBE

480μARb

IC IB 24mA

UEC VCC ICRC＜VCC

1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能

1.20 根据方程

iD IDSS(1

uGS2

)

UGS(th)

逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21

1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。

1.23 uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。

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1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能 一、（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）× 二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能

（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。

（e）不能。因为输入信号被C2短路。

（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。

（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。

三、（1）(VCC UBEQ)IBQ 565 ； (VCC UCEQ)（2） Uoi -120 ； IBQ 3

RL'

Uo 0.3

RC＋RL

四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D 六、

2.1

大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大

2.2（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且加输入耦合电容。

（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。

2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。

2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。

带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√

（9）√ （10）× （11）× （12）√

2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7

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Q：ICC UBEQ

BQ

VR

UBEQb

R

22μA

ICQ IBQ 1.76mA

空载时：UCEQ VCC ICQRc 6.2V， rbe rbb' (1 )26mV

I 1.3k EQ

A Ru

c

r 308

be

Ri Rb∥rbe rbe 1.3k A rus

be

R r A u

93sbe

Ro Rc 5k RRL 3k 时：UCEQ L

R R IC …… 此处隐藏：7556字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……