微电子制造工艺课程教学大纲
时间：2025-07-15
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《微电子制造工艺》课程教学大纲
一、课程说明
（一）课程名称、所属专业、课程性质、学分；
课程名称：微电子制造工艺
所属专业：微电子科学与工程
课程性质：专业必修课
学分： 4
（二）课程简介、目标与任务；
本课程作为微电子科学与工程专业的专业必修课，是半导体制造工艺的基础。主要介绍半导体制造相关的全部基础技术信息，以及制造厂中的每一道制造工艺，包括硅片氧化，淀积，金属化，光刻，刻蚀，离子注入和化学机械平坦化等内容。
该课程的目的使学生了解产业变化历史中的所有工艺和设备，以及每道具体工艺的技术发展的现状及发展趋势。
（三）先修课程要求，与先修课与后续相关课程之间的逻辑关系和内容衔接；
上本课程之前或者同时应了解半导体物理的相关知识，以便为本课程打下基础；同时本课程又是集成电路分析与设计，以及微电子制造工艺专业实验及实习的基础。
（四）教材与主要参考书。
本课程所使用的教材是《半导体制造技术》，Michael Quirk, Julian Serda著，韩郑生等译，电子工业出版社。
主要参考书：
《半导体器件物理与工艺》施敏苏州大学出版社
《硅集成电路工艺基础》陈力俊复旦大学出版社
《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》电子工业出版社
《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社
《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社
《半导体器件基础》电子工业出版社
《硅集成电路工艺基础》北京大学出版社
二、课程内容与安排
第一章半导体产业介绍（3学时）
第二章半导体材料特性（3学时）
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第三章器件技术（3学时）
第四章硅和硅片制备（5学时）
第五章半导体制造中的化学品（3学时）
第六章硅片制造中的玷污控制（3学时）
第七章测量学和缺陷检查（3学时）
第八章工艺腔内的气体控制（3学时）
第九章集成电路制造工艺概况（5学时）
第十章氧化（6学时）
第十一章淀积（5学时）
第十二章金属化（5学时）
第十三章光刻：气相成底膜到软烘（4学时）
第十四章光刻：对准和曝光（4学时）
第十五章光刻：光刻胶显影和先进的光科技术（4学时）
第十六章刻蚀（5学时）
第十七章离子注入（4学时）
第十八章化学机械平坦化（4学时）
（一）教学方法与学时分配
采用多媒体课件与板书相结合的课堂教学方法，基于学生便于理解接受的原
则，对不同讲授内容给予不同方式的侧重。学时分配详见课程内容与安排。
（二）内容及基本要求
主要内容：本章属于引言章节，主要介绍半导体产业的历史，现状及发展趋势。要求掌握和了解集成电路制造以及半导体发展的趋势。
【重点掌握】：硅和硅片制备，氧化，淀积，光刻技术
【掌握】：芯片制备过程中的清洗，金属化，刻蚀，离子注入，化学机械平坦化
【了解】：器件技术，半导体制造中的化学品及玷污
【一般了解】：测量学和缺陷检查，工艺腔内的气体控制
【难点】：光刻过程及离子注入
（重点掌握、掌握、了解、一般了解四个层次可根据教学内容和对学生的具体要求适当减少，但不得少于两个层次）
制定人：陶春兰
审定人：
批准人：
日期：
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