清华大学本科生考试试题专用纸

考试课程 模拟集成电路分析与设计 2006年01月05日

1． 从如下问题中选择五个小题进行回答：（40分＝8分×5）

i. 解释在设计运放时为什么要考虑频率补偿问题，并列出常用的频率补偿方法； ii. 画出电流镜作负载的单级差分对的差模大信号转移曲线（Vout-Vin），并判断整个

转移曲线可以分为几个工作区间，在每个工作区间内，每个晶体管工作于什么状

态（饱和、线性、截止）；

iii. 解释如下名词：共模抑制比；电源电压抑制比；相位裕度；压摆率；

iv. 解释什么是Telescopic运放和折叠Cascode运放，这两种运放在性能上具有什么特

点？

v. 简述全差分运放中共模反馈环路的基本工作原理；

vi. 说明线性两端口网络的噪声模型，并说明如何求取噪声模型中的等效噪声；

vii. 列出描述比较器性能的主要参数，并解释它们的含义；

viii. 在开关电容电路中，采用MOS管作开关存在哪些非理想效应，如何来减小或者

消除这些非理想效应对电路的影响？

2．对于如图一所示的迟滞性比较器，如果W1=W2=W10=W11=10um, W3=W4=2u,

所有晶体管的沟道长度均为1um，流过M5的电流i5=20uA，M1的栅接地，输入电压加到M2的栅极，说明该比较器引入迟滞性的基本原理，并求取正向转换点和负向转换点。已知晶体管的参数如下：

2V= V=0.75V，k'=24μA/V，k'=8μA/V2，VDD=-VSS, 忽略晶体管的tntpnp

沟道长度调制效应和衬底调制效应。（10分）

图一

第 1 页/共 3 页

第 2 页/共 3 页

第 3 页/共 3 页