电子技术-共发射极基本放大电路课件

时间：2025-05-06

电子技术基础课题：共发射极基本放大电路

复习巩固

1. 三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看： NPN 发射结正偏 UB>UE 集电结反偏 UC>UB PNP 发射结正偏 UB<UE 集电结反偏 UC<UBC N B RB EB E P N EC RC

复习巩固

2、根据三极管输出特性曲线的特点，可以分为那几个工作区？各区有什么特点？答：可以分为：截止区、饱和区和放大区三个工作区。其中，截止区的条件是发射结反偏，集电结反偏；放大区的条件是发射结正偏，集电结反偏；饱和区的条件是发射结正偏，集电结正偏。

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课题共发射极基本放大电路

共发射极基本放大电路

教学目的

1. 掌握共发射极基本放大电路的直流通路与交流通路的画法。

2. 掌握共发射极基本放大电路的静态工作点的估算。

共发射极基本放大电路教学重点1、共发射极基本放电路直流通路的画法。 2、共发射极放大电路静态工作点的估算。

共发射极基本放大电路

教学难点共发射极基本放大电路静态工作点的估算。

共发射极基本放大电路共射放大电路的常见画法+EC RB C1 + C2 + + iB i C + T uCE + uBE – uo – iE – RC

+ ui–

习惯画法

一、共发射极放大电路的组成(1)晶体管 V:放大电路中的核心器件。具有电流放大作用，可将微小的基极电流转换成较大的集电极电流。 (2) 集电极电源EC: 不仅为输出信号提供能量，还为发射结加正向偏置电压、集电结加反向偏 + 置电压，使晶体管起到放 ui – 大作用。RB C1 + +EC C2 + + iB iC + T uCE + uBE – uo – iE – RC

一、共发射极放大电路的组成(3 ) 集电极电阻Rc

将集电极电流的变化变换成电压的变化，以实现电压放大。(4) 基极电阻RB: 使发射结处于正偏，+ECRB C1 + C2 + + iB iC + T uCE + uBE – uo – iE – RC

并提供合适的基极电流IB,使放大电路获得合

适的工作点。

+ ui –

共发射极放大电路的分析( 5) 耦合电容C1和C2:

起隔断直流，耦合交流的作用。不使输入端的信号源以及输出负载电阻的加入而影响晶体管处于放大状态。+EC RB C1 + C2 + + iB iC + T uCE + uBE – uo – iE –

+ ui

–

二、共射极放大电路的工作原理分析

1、静态时的情况静态：当放大器的交流输入信号ui=0时，三极管的基极回路和集电极回路中只有直流通过，放大器这时的状态称为静态。这时输出信号uo=0.

因此在直流电源电压EC作用下通过RB产生了IB,经三极管的电流放大转换为IC, IC通过RC在c极和e极间产生了UCE,均为直流量。