第6章功能薄膜材料

时间:2025-02-23

第六章 金属薄膜材料

薄膜材料的制备方法简介

金属薄膜材料的形成及结构 主要薄膜功能金属材料

第一节 薄膜材料制备方法简介1、物理气相沉积(PVD)

功能薄膜材料

采用物理方法使物质的原子或分子逸出,然后沉积 在基片上形成薄膜的工艺 根据使物质的逸出方法不同,可分为蒸镀、溅射和 离子镀 (1)真空蒸镀 把待镀的基片置于真空室内,通过加热使蒸发材 料气化(或升华)而沉积到某一温度基片的表面上, 从而形成一层薄膜,这一工艺称为真空蒸镀法 蒸发源可分为:电阻加热、电子束加热和激光加热等

第一节 薄膜材料制备方法简介(2)溅射(Sputtering)

功能薄膜材料

当具有一定能量的粒子轰击固体表面时,固 体表面的原子就会得到粒子的一部分能量,当 获得能量足以克服周围原子得束缚时,就会从 表面逸出,这种现象成为“溅射” 它可分为离子束溅射和磁控溅射

第一节 薄膜材料制备方法简介离子束溅射它由离子源、离子引出极 和沉积室3大部分组成, 在高真空或超高真空中溅 射镀膜法。利用直流或高 频电场使惰性气体(通常 为氩)发生电离,产生辉 光放电等离子体,电离产 生的正离子和电子高速轰 击靶材,使靶材上的原子 或分子溅射出来,然后沉 积到基板上形成薄膜。

功能薄膜材料

图6.1 离子束溅射工作 原理图

第一节 薄膜材料制备方法简介磁控溅射

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图6.2 磁控溅射SiO2装置图

第一节 薄膜材料制备方法简介

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在被溅射的靶极(阳极)与阴极之间加一个正交磁场和电场, 电场和磁场方向相互垂直。当镀膜室真空抽到设定值时,充 入适量的氩气,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁)之 间施加几百伏电压,便在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电, 氩气被电离。在正交的电磁场的作用下,电子以摆线的方式 沿着靶表面前进,电子的运动被限制在一定空间内,增加了 同工作气体分子的碰撞几率,提高了电子的电离效率。电子 经过多次碰撞后,丧失了能量成为 “最终电子”进入弱电场 区,最后到达阳极时已经是低能电子,不再会使基片过热。 同时高密度等离子体被束缚在靶面附近,又不与基片接触, 将靶材表面原子溅射出来沉积在工件表面上形成薄膜。而基 片又可免受等离子体的轰击,因而基片温度又可降低。更换 不同材质的靶和控制不同的溅射时间,便可以获得不同材质 和不同厚度的薄膜。

第一节 薄膜材料制备方法简介 (3)离子镀

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离子镀是在真空蒸镀得基础上,在热蒸发源 与基片之间加一电场(基片为负极),在真空 中基片

与蒸发源之间将产生辉光放电,使气体 和蒸发物质部分电离,并在电场中加速,从而 将蒸发的物质或与气体反应后生成的物质沉积 到基片上。

第一节 薄膜材料制备方法简介

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2、化学气相沉积(CVD)化学气相沉积是使含有构成薄膜元素的一种或几种 化合物(或单质)气体在一定温度下通过化学反应生 成固态物质并沉积在基片上而生成所需薄膜的方法。 特点:设备可以比较简单,沉积速率高,沉积薄膜 范围广,覆盖性好,适于形状比较复杂的基片,膜较 致密,无离子轰击等优点。特别是在半导体集成电路 上得到广泛应用 常用的气态物质有各种卤化物、氢化物及金属有 机化合物等,化学反应种类很多,如热解、还原、 与水反应、与氨反应等

第一节 薄膜材料制备方法简介

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金属有机化学气相沉积(MOCVD)原料主要是金属(非金属)烷基化合物。

优点是可以精确控制很薄的薄膜生长,适于制 备多层膜,并可进行外延生长。

第二节 金属薄膜的形成及其结构 功能薄膜材料 一、薄膜的形成过程A 生成三维的核型

原子在基片上先凝聚,然后生成核,进一步再将 蒸发原子凝聚起来生成三维的核。通常大部分金 属薄膜都是以这样的一个过程形成的。B 单层生长型 是基片和薄膜原子之间,以及薄膜原子之间相互 作用很强时容易出现的形式。它是先形成两维的 层,然后再一层一层地逐渐形成金属薄膜。

第二节金属薄膜的形成及其结构C 单层上再生长核型

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是基片和薄膜原子间相互作用非常强时的形成形式。 这种方式只有非常有限的基片材料和金属薄膜材料的 组合才能形成。

图6.3 蒸法膜形成过 程的三种模型

第二节金属薄膜的形成及其结构

功能薄膜材料

薄膜的形成过程大致都可分为 4个 阶段,图(a)在最初阶段,外来 原子在基底表面相遇结合在一起成 为原子团,只有当原子团达到一定 数量形成“核”后,才能不断吸收 新加入的原子而稳定地长大形成 “岛”;图(b)随着外来原子的 增加,岛不断长大,进一步发生岛 的接合;图(c)很多岛接合起来 形成通道网络结构;图(d)后续 的原子将填补网络通道间的空洞, 成为连续薄膜 图6.4 薄膜形成与生长的物理过程

第二节 金属薄膜的形成及其结构 功能薄膜材料决定金属薄膜材料的两个重要因素:(1)蒸发时的基片温度一般来说,基片温度越高,则吸附原子的动能也越大,跨越 表面势垒的几率增多,则需要形成核的临界尺寸增大,越易 引起薄膜内部的凝聚,每个小 …… 此处隐藏:592字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……

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