专用集成电路设计

东南大学的部分课程

研究生课程开设申请表

开课院（系、所）：

一、课程介绍（含教学目标、教学要求等）（300字以内）

通过本课程的教学，使学生了解当今VLSI系统设计的方法与技术；掌握MOS器件的基本结构、模型与特性；建立相关工艺基本概念，了解工艺过程；掌握集成电路设计的特点与方法，掌握主要的集成电路设计技术，建立系统集成的概念，建立系统模块化设计的思想；了解集成电路的基本版图；了解集成电路设计系统的构成和完成设计的过程。

二、教学大纲（含章节目录）：（可附页）

1、集成电路历史和设计挑战。主要阐述集成电路的发展史以及目前集成电路面临的诸

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多挑战，比如：速度、功耗等。

2、设计指标。掌握性能、功耗、成本、可靠性之间的关系，以及如何提高各个指标的方法。

3、CMOS工艺基础。主要通过Flash动画等阐述CMOS器件的制备过程，了解深亚微米工艺的挑战和复杂性。

4、互连线。了解互连线在半导体材料中的寄生效应、对电路的影响，了解相应计算方法和控制寄生效应的方法。

5、CMOS器件基础。掌握CMOS器件的二阶方程，理解设计阐述对电路的影响，了解亚微米情况下面临的效应。

6、CMOS反相器性能的定性分析及优化设计。掌握CMOS反相器的原理、构造和性能定性分析。

7、CMOS组合逻辑门设计。掌握静态CMOS组合电路，了解无比电路、传输门电路和动态CMOS电路。

8、CMOS时序逻辑电路设计。掌握静态CMOS时序电路：Latch和Register，了解动态CMOS时序电路。

9、同步电路时序。掌握同步电路时序约束方程，掌握提高时序性能的方法。

10、运算逻辑设计。掌握加法器的结构及其关键路径对性能的影响，了解乘法器的设计。 11、存储器。掌握SRAM的原理，了解ROM、SRAM、DRAM等各种存储器的基本构造和相关特性。

12、VLSI设计方法学。了解当前大规模设计的方法、手段，了解计算机辅助设计发挥的作用。

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注：1.以上一、二、三项内容将作为中文教学大纲，在研究生院中文网页上公布，四、五内容将保存

在研究生院。2.开课学期为：春季、秋季或春秋季。3.授课语言为：汉语、英语或双语教学。4.适用学科范围为：公共，一级，二级，三级。5.实践环节为：实验、调研、研究报告等。6.教学方式为：讲课、讨论、实验等。7.学位课程考试必须是笔试。8.课件地址指在网络上已经有的课程课件地址。9.主讲教师简介主要为基本信息（出生年月、性别、学历学位、专业职称等）、研究方向、教学与科研成果，以100至500字为宜。

四、主讲教师简介：

陆生礼，男，1965年出生，主要研究方向为集成电路设计，包括模拟和数字集成电

路设计，1996年至今一直主讲微电子与固体电子专业的研究生专业选修课，同时还承担电子工程系本科生的专业主干课《VLSI系统设计》的课程教学。

五、任课教师信息（包括主讲教师）：

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Application Form For Opening Graduate Courses

School (Department/Institute)：

I. Course Introduction (including teaching goals and requirements) within 300 words:

Students should comprehend the technique and methodology of VSLI system design; understand the basic structure, model and characteristics of MOS devices, as well as the CMOS process. The concept of system integration and top-down design method should be erupted. Also, students should know the layout and the design flow of a complicated design.

II. Teaching Syllabus (including the content of chapters and sections. A sheet can be

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attached):

1、The history and challenge of IC design. The emerge reason and development history of IC is shown. And the challenges, such as speed and power, limit the development speed of IC .

2、Design metrics. The relationships between performance, power, robustness and cost are discussed, as well as the ways to improve these metrics.

3、CMOS process. Discuss the procedure of CMOS device manufacture.

4、Wire. Discuss the parasite effects of interconnection wire, including resistance, capacitance and inductance.

5、CMOS device. Discuss the PMOS and NMOS characteristics and the current calculating formula.

6、CMOS inverter. Discuss the inverter principle and structure, as well as the analysis of performance and power consumption.

7、CMOS combinational logic. Discuss the design of CMOS combinational logic, ratioless logic and dynamic CMOS logic.

8、CMOS sequential logic. Discuss the design of CMOS sequential logic and dynamic sequential logic.

9、Synchronous logic timing. Discuss the timing constraint formula, and the method to improve timing.

10、Algorithm logic. Discuss adder and its critical path, as well as the multiplier.

11、Memory. The ROM, SRAM and DRAM are discussed.

12、Design methodology. The usual design method and technique are discussed.

III. Teaching Schedule:

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Note: 1.Above one, two, and three items are used as teaching Syllabus in Chinese and announced on the

Chinese website of Graduate School. The four and five items are preserved in Graduate School. 2. Course terms: Spring, Autumn , and Spring-Autumn term.

3. The teaching languages for courses: Chines …… 此处隐藏：2487字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……