基于ARM Cortex-M3内核的32位RISC微控制器

基于ARM Cortex-M3内核的32位RISC微控制器

4 2案。Smpe i k i lLn Wi F CC 0 0一说必不可少，另外还可支持更小的手指设，加入 6款高性能组产品、1款基本— i 3 0是款自成一体的8 2 1网络处理器，适合并解决多个手指聚集在一起时出现的问组产品、 1 8低功率组产品和 2款超 0 .1 0款 6

向任何嵌入式应用便捷添加因特网连接题。功能。Cy e s pr s Se co d ct r mi n u o

低功耗组产品后，使全系列产品多达30。 7款

其他特性：自成一体的 8 2 1网 0.1络处理器；片上 T CP、 U DP和 I P;

电话：0 1 6 9 - 2 3 2 - 3 1 5 3, t:w,/ ww.y r s . o f/ O c p e s c m

引入新的低功率组产品后，富士通半导体全系列产品达到4,可提供组适合各种应用的完整 FM3族产品线。家

自成一体的 R F认证模块；支持 T I F r t i Co fg isT me n i技术；业经验证的高可靠解决方案支持同类最大覆盖范围；基于TI MS 4 0 R P 3 F AM M C U的交钥

基于A M R Cot x M内核的3 高性能产品组特别针对处理器密集型系 re - 3 2位RS微控制器 IC统控制器和应用导向界面所设计，具有富士通半导体推出第四波基于 CAN和 U S 2 0能；而基本产品组则 B .功

匙开发套件，能够实现与TI MC U系列 ARM C0r e t x—M3理器内核的专为单一电机变频控制而设计开发。新处的向前兼容性。Tex s n t u nt a I s r me s

3位 RI 2 S C微控制器的 FM 3列新引入的低功率组产品更针对广泛的电池系产品，有 21款不同型号。新产品供电类移动产品、使用 LCD技术的数 共 0 包括高性能产品组、基本产品组、 字娱乐设备以及家用电器和保健设备提

电话：80 8 0 8 8 0— 2— 62f lwww.i o t l O: t c m .

低功率产品组和超低功耗产品组 4供优化，满足了市场上对低功耗产品的 个类别，高性能产品组共有 6款产需求。而超低功耗组产品则可应用于使 4

面向超级本的单芯片触摸屏控制器

品，包括 M B

9 1 R/ 1/ 1/l 0用各类传感器的仪表机械及电池供电应 B5 0 4 0 3 0 1

G e T rue h控制器系列、 M B F51 R PM n4 OuC T B9 6 C以及其用。

C C Y8 TMA13面向快速发展的平板电他产品；基本产品组共有 l 06 2款产脑和超极本市场。该器件具有6个感应品，包括 M A 1 K/1列、 5 B9 3 0 0系 1 I O,可让最大 l英寸的触摸屏实现完 M A F3 2 M / 2 B9 l K PC以及其他产品； 美触摸屏性能。与较小屏幕的Ge 4 n器低功率产品组共有 1 款产品，包 8 0

富士通微电子 (上海 )限公司有电话：0 1 6 4 -3 8 2— 16 6 8

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件一样，该款新器件具有多方面的优异括 M A B4 N/A4/3 0 0系耐辐射型F G器件 B9 0 0 4/1 4 P A性能，包括极佳的信噪比( R) s N以及在列、 M B9 FB4 N PM A 4 C以及其他耐辐射型(a ito t lr n ) r d ain oe a t RT

各种噪声源 (触摸屏设计面临的最大挑产品；超低功耗产品组共有 2款产 P o I P 6 rAS C 3 F GA产品系列现可提供陶战)存在情况下仍可实现的优异性能。品，包括 M A A3 N/1 0列、 B9 0 系 3

瓷四方扁平封装( QF ) C P产品。C P QF封装符合经过时间考验与飞行验证的电路板和组装技术要求。此外，陶瓷可耐受极端的操作温度，使其成为要求严苛的航空航天应用理想材料。 R P o I 3 P A是同类器件 T r AS C F G中的首款产品，可为航空航天硬件设计人员提供耐辐射、可编程、非易失性逻

此外，Ge 4 n还具有极低的有效功耗，优 MB AF 2 M C及其他产品。 9 A3 NP以 异的跟踪精确度以及极快的刷新率。它可为包括Wi8 N d od内的各大主 n￣ An r i在要移动操作系统提供全面支持。CY8 CTM A1 3采用 3位 AR M 06 2

CO t x re内核，具有6个感应I O 5/通道， 能够支持多达 1 3个屏上节点，这比任 06

何其

他单芯片解决方案要多出3%。更 5

FM3系列产品整合了CO t x M3辑的集成解决方案。该器件适用于需要 re—

多的感应通道对更高精确度、线性度来内核和专为FR微控制器开发的周边外以高达 30 5 MHz频率运行和高达 30 0万个6 夸日电 -21筇3 4子 o2髑