DS18B20温度传感器详解带c程序
时间:2026-05-01
时间:2026-05-01
DS18B20自己学习过程总结+开发板原理图+C程序详解
DS18B20温度传感器(详细案列+程序)
硬件介绍
1.1主要特征
(1) 独特的单线接口方式,只需一个接口引脚即可通信;
(2) 每一个DS18B20都有一个唯一的64位ROM序列码;
(3) 在使用中不需要任何外围元件;
(4) 可用数据线供电,电压范围:+3.0V-+5.5 V;
(5) 测温范围:-55℃ -+125℃,在-10℃-+85℃范围内精度为+0.5℃,分辨率为0.0625℃;
(6) 通过编程可实现9-12位的数字读数方式。温度转换成12位数字信号所需时间最长为750ms,而在9位分辩模式工作时仅需93.75ms;
(7) 用户可自设定非易失性的报警上下限值;
(8) 告警搜索命令可识别和定位那些超过报警限值的DS18B20;
(9) 多个DS18B20可以并联在惟一的三线上,实现多点测温;
(10)电源极性接反时,DS18B20不会因发热而烧毁,但不能正常工作;
1.2外形与接线
引脚图 接线图
DS18B20引脚定义:
DQ为数字信号输入/输出端;
GND为电源地;
VDD为外接供电电源输入端(在寄生电源接线方式时接地)。
内部结构与介绍
2.1内部结构
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内部结构图
2. 2 DS18B20内部存储器及温度数据格式
对于DS18B20内部存储器结构(见下图),它包括一个暂存RAM和一个非易失性电可擦除EERAM,后者存放报警上下限TH、TL。当改变TH、T L中的值时,数据首先被写进暂存器的第二、三字节中,主机可再读出其中内容进行验证。如果正确,当主机发送复制暂存器命令,暂存器的第二、三字节将被复制到TH、TL中,这样处理有利于确保该数据在单总线上传输的完整性[7]。
(暂存RAM) EERAM结构(电可擦写RAM)
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暂存存储器作用是在单线通信时确保数据的完整性,它由8字节组成,头两个字节表示测得的温度读数。以12位转化为例说明温度高低字节存放形式(温度的存储形式如表3.1)及计算:12位转化后得到的12位数据,存储在18B20的两个高低8位的RAM中,二进制中的前面5位是符号位。如果测得的温度大于0,这5位为0,只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度;如果温度小于0,这5位为1,测到的数值需要取反加1,再乘于0.0625才能得到实际温度[8]。
表3.1 温度的存储形式
S=1时表示温度为负,S=0时表示温度为正,其余低位以二进制补码形式表示,最低位为1时表示0.0625℃ 。温度/数字对应关系如表3.2所示。
表3.2 DS18B20温度/数字对应关系表
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3.1执行序列
(1)初始化
(2)ROM指令集
A.READ_ROM [33H] 读ROM //可读出64位编码
B.MATCH_ROM [55H] 匹配ROM//以此指令对某一个1820操作
C.SKIP_ROM [CCH] 跳过ROM//用于总线只有一个1820
D.SEARCH_ROM
[F0H]
搜索ROM//用于一次读取多个1820的64位编码
E.ALARM_SEARCH [ECH] 报警搜索ROM//从多个1820中搜索哪个在报警
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(3)DS18B20功能指令(暂存器指令集)
A.温度转换 [44H] 启动DS18B20进行温度转换
B.读暂存器 [BEH] 读暂存器9个字节内容
C.写暂存器 [4EH] 将数据写入暂存器的TH、TL字节
D.复制暂存器 [48H] 把暂存器的TH、TL字节写到E2RAM中
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E.重新调E2RAM [B8H] 把E2RAM中的TH、TL字节写到暂存器TH、TL字节
F.读电源供电方式 [B4H] 启动DS18B20发送电源供电方式的信号给主CPU
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运行流程
4.1多个读取步骤
4.2单个读取步骤
4.3读取到的字节
时序介绍
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5.1初始化
至少480us
DS18B20
等待Vpu
单总线
GND
5.2写时间隙
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5.3读时间隙
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6.
开发板原理图
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液
数
晶
码
模
管
灯
块
模
电
块
路
(
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电
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必
口
通
信
祥
模
块
小
作
红
外
接
开
收
电
发
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