热壁外延ZnSeGaAs薄膜生长机理的研究
时间：2025-03-12
本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.
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热壁外延ZnSeGaAs薄膜生长机理的研究.doc
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