数字集成电路设计部分名词解释

31、体效应：MOS晶体管的源极和衬底的电压不相等。

32、亚阈值：对于NMOS晶体管，当VGS低于阈值电压时，MOS晶体管已部分导通，这一现象称为亚阈值。

33、闩锁效应：在MOS工艺内，同时存在的阱和衬底会形成寄生的N-P-N-P结构，这些类似闸流管的器件一旦激发即会导致VDD和VSS线短路，这通常会破坏芯片。

34、组合逻辑电路：在任何时刻电路输出与其当前输入信号的关系服从某个布尔表达式，而不存在任何从输出返回到输入的连接。

35、时序逻辑电路：电路的输出不仅与当前的输入数据有关，而且也与输入信号以前的值有关。

36、电气努力：一个门外部负载与输入电容直接的比。

37、逻辑努力：对于一给定负载，复合门必须比反相器更努力工作才能得到类似响应。一个逻辑门的逻辑努力告诉我们，当假设这个逻辑门的每一个输入只代表与一个反相器相同的输入电容时，在产生输出电流方面它比这个反相器差多少。或相当于说，逻辑努力表示一个门与一个反相器提供相同的输出电流时它所表现出的输入电容比反相器大多少。

38、寄存器：边沿触发的存储器件。

39、锁存器：电平敏感的器件。

40、触发器：由交叉耦合的门构成的任何双稳态元件。

41、COMS电路的特点：噪声容限大、无比逻辑（逻辑电平与器件的相对尺寸无关）、稳态时输出具有有限电阻、输入电阻极高、静态功耗小。

42、COMS反相器的开关模型：

43、COMS反相器的动态模型：