电力电子技术复习
时间:2025-05-11
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电力电子技术复习
第2章 电力电子器件
1、 各种电力电子器件的名称和英文符号;
答:绝缘栅双极晶体管(IGBT),电力场效应管(电力MOSFET),电力晶体管(GTR或BJT,电力电子技术范围内,两名称等效),晶闸管(又称“可控硅整流器”,SCR),门极可关断晶闸管(GTO)
2、 理想电力电子器件的特点
答:导通时(通态)阻抗很小,接近于短路,管压降接近于零,而电流由外电路决定;阻断时(断态)阻抗很大,电流几乎为零,而管子两端电压由外电路决定。
3、 各种器件导通关断的条件是什么
答:晶闸管承受正向电压,仅在门极有触发电流的情况下导通,如果门极电流为零,且阳极电流降至接近于零的维持电流IH以下时阻断;
电力MOSFET和IGBT:通断由栅极和发射极间的电压uGE决定,当uGE为正且大于开启电压UGE(th)时导通,uGE<0时关断。
4、 额定电流的理解,参考习题4、5两题
答:晶闸管的额定电流是所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值(通态平均电流IT(AV));
GTO的额定电流为最大可关断阳极电流IATO。
4. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im,试计算各波形的电流平均值I
、I、I与电流有效值I、I、I。
a)
b)
c)
解:a)
图1-43图1-43 晶闸管导电波形 Im1 2
1) 0.2717 Im Id1==(Isin td( t) m
2 42 2
I1=
b) Id2 =
12
4
4
(Imsin t)2d( t)=
Im231 0.4767 Im 42
1
1
Imsin td( t)= 4
Im
(
2
1) 0.5434 Im 22Im2
I2 =
c)
(Imsin t)2d( t)=
31 0.6741Im 42
1Id3=
2
20
Imd( t)=
2
1Im 41Im 2
I3 =
12
20
Imd( t)=
5. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?
解:额定电流I T(AV) =100A的晶闸管,允许的电流有效值I =157A,由上题计算结果知
I
a) Im1 329.35A, Id1 0.2717Im1 89.48A
0.4767I
b) Im2 232.90A, Id2 0.5434 Im2 126.56A
0.6741
1
c) Im3=2I = 314A, Id3=Im3=78.5A
4
第3章 整流电路
1 2、不同负载下 角移相范围;
如图所示
3、各种整流电路中管子承受的最大正反向电压大小的确定 4、单相桥式半控整流电路的失控现象
答:当ɑ突然增大至180°或触发脉冲丢失时,会产生一个晶闸管持续导通而两个二极管轮流导通的情况,这使ud成正弦半波,相当于半波不可控整流电路,需加一续流二极管防止失控。
5、变压器漏感对整流电路的影响,两个公式(表3-2最右边一列2个)要记得。 见例题
6、电容不可控整流电路的结论要记得Ud 1.2U2
7、无功功率对电网的不利影响有哪些?提高变流器功率因素的方法有:减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、 设置补偿电容等。
答:导致设备容量增加;设备和线路损耗增加;线路压降增大、电压剧烈波动等 8、有源逆变工作状态的条件,最小逆变角 的定义与范围。逆变电路主要分为有源逆变和无源逆变,无源逆变电路在第四章分析。
答:1)要有直流电动势,极性和晶闸管导通方向一致,并大于变流器直流侧的平均电压; 2)要求晶闸管的控制角大于ɑ>90°,使Ud为负值。
习题:5、13、15、18、19、27
5.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,反电势E=60V,当
ɑ=30 时,要求:
① 作出ud、id和i2的波形;
② 求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次侧电流有效值I2; ③ 考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解:①ud、id和i2的波形如下图:
②整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次侧电流有效值I2分别为
Ud=0.9 U2 cosα=0.9×100×cos30°=77.97(A) Id =(Ud-E)/R=(77.97-60)/2=9(A)
I2=Id =9(A)
③晶闸管承受的最大反向电压为:
2U2=1002=141.4(V)
流过每个晶闸管的电流的有效值为:
IVT=Id ∕2=6.36(A)
故晶闸管的额定电压为:
UN=(2~3)×141.4=283~424(V)
晶闸管的额定电流为:
IN=(1.5~2)×6.36∕1.57=6~8(A)
晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。
13.三相桥式全控整流电路,U2=100V,带电阻电感负载,R=5Ω,L值极大,当ɑ=60 时,要求:
① 画出ud、id和iVT1的波形;
②计算Ud、Id、IdT和IVT。
解:①ud、id和iVT1的波形如下:
②Ud、Id、IdT和IVT分别如下
Ud=2.34U2cosɑ=2.34×100×cos60°=117(V)
Id=Ud∕R=117∕5=23.4(A) IDVT=Id∕3=23.4∕3=7.8(A) IVT=Id∕3=23.4∕=13.51(A)
i
15.三相半波可控整流电路,反电动势阻感负载,U2=100V,R=1Ω,L=∞,LB=1mH,求当ɑ=30 时、E=50V时Ud、Id、 的值并作出ud与iVT1和iVT2的波形。
解:考虑LB时,有:
Ud=1.17U2cosα-ΔUd
ΔUd=3XBId∕2π Id=(Ud-E)∕R
解方程组得:
Ud=(πR 1.17U2cosα+3XBE)∕(2πR+3XB) …… 此处隐藏:5405字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……
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