第六届ITAT大赛：单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

第六届信息技术应用水平大赛<单片机开发与应用技术个人赛赛点解析> 单片机开发与应用技术个人赛赛点解析>

教育部教育管理信息中心

单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

题型、题量、 题型、题量、考试形式与考试时间

预赛安排 题型为是非题、选择题。 题型为是非题、选择题。 题量是70 70道 其中是非题40 40道 每道题1 单选题30 30道 每道题2 题量是70道，其中是非题40道，每道题1分；单选题30道，每道题2分，合计 100分 100分。 考试方式采用网络在线考试，系统自动阅卷。 考试方式采用网络在线考试，系统自动阅卷。 考试时间为100分钟。 100分钟 考试时间为100分钟。 考试日期：10月15日 考试日期：10月15日 考试地点： 考试地点：各参赛学校

http://www.77cn.com.cn

教育部教育管理信息中心

单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

题型、题量、 题型、题量、考试形式与考试时间

复赛安排 题型为论述、设计、电路分析题等主观题。 题型为论述、设计、电路分析题等主观题。 题量为论述题4 电路分析题2 设计题1 试卷满分为150 150分 题量为论述题4道，电路分析题2道、设计题1题。试卷满分为150分。 考试方式为计算机答题。 考试方式为计算机答题。 考试时间为3小时。 考试时间为3小时。 考试日期是11 11月 考试日期是11月5日 考试地点是大赛组委会联同各省赛区办公室指定的承办院校( 考试地点是大赛组委会联同各省赛区办公室指定的承办院校(详见大赛官方 网站) 网站)

http://www.77cn.com.cn

教育部教育管理信息中心

单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

题型、题量、 题型、题量、考试形式与考试时间

决赛安排 题型为综合创新设计与操作题。 题型为综合创新设计与操作题。 题量为1道设计与操作题， 题量为1道设计与操作题，在大赛组委会特别开发的创新实践平台上完成电 子系统的设计、安装、调试，并写出实践文档。考察综合运用基础知识的能 子系统的设计、安装、调试，并写出实践文档。 综合设计能力、以及制作与调试等的动手能力和解决复杂问题的能力。 力、综合设计能力、以及制作与调试等的动手能力和解决复杂问题的能力。 试卷满分为120 120分 试卷满分为120分。 考试方式为实验室实际操作。 考试方式为实验室实际操作。 考试时间为4小时。 考试时间为4小时。 考试日期为12 12月 考试日期为12月4日~5日 考试地点定于北京

http://www.77cn.com.cn

教育部教育管理信息中心

单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

考试内容---基础知识部分 考试内容---基础知识部分 ---

基本元器件R.L.C--特点、性能、标识、应用、元件上V R.L.C--特点、性能、标识、应用、元件上V与I的相位关系、元 --特点 的相位关系、 件的分压与分流 变压器--种

类、特点、电压、电流、 --种类 变压器--种类、特点、电压、电流、阻抗之比 稳压二极管、变压二极管、发光二极管、 稳压二极管、变压二极管、发光二极管、光电二极管的工作条件 与主要参数 BJT与FET的对比 BJT与FET的对比 Vp、 β、 rbb’、Iceo 、 T、gm、Vp、VT等参量的含义与应用 bb’ 输入特性、输出特性、 输入特性、输出特性、传输特性的特点与应用等

http://www.77cn.com.cn

教育部教育管理信息中心

单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

考试内容---基础知识部分 考试内容---基础知识部分 --基本电路与电路基本定律基尔霍夫第一、第二定律、 戴维定理、 基尔霍夫第一、第二定律、 戴维定理、叠加定理 四种滤波器--低通、高通、带通、 --低通 四种滤波器--低通、高通、带通、带阻 基本电路--做耦合、滤波、微分、 --做耦合 基本电路--做耦合、滤波、微分、积分R Vi C Vo Vi C R Vo

如：要使输入方波不失真传至输出端，电路参数应如何选择？ 要使输入方波不失真传至输出端，电路参数应如何选择？ Ui Uo1 RLC串联 串联、 RLC串联、并联电路 Uc C in 如图电路的分析： 如图电路的分析： UL L 电流、电压的失量关系； 电流、电压的失量关系； Uo1、Uo2、Uo的计算公式 的计算公式； Uo1、Uo2、Uo的计算公式； Uo2 R r 电路的选频曲线； 电路的选频曲线； in Q值、通频带宽度的计算 (a)http://www.77cn.com.cn

Uo iR ic iL

C

L

(b)

教育部教育管理信息中心

单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

考试内容---基础知识部分 考试内容---基础知识部分 --模拟电子电路-- 模拟电子电路--基本放大电路电路为主， 电路次之--电路及电路特点，元件作用， --电路及电路特点 共e、共c电路为主，共b电路次之--电路及电路特点，元件作用， 输入/输出波形关系、应用、 输入/输出波形关系、应用、计算失真等 FET共源 共漏放大器的电路特点， BJT放大器的性能对比 共源、 放大器的性能对比。 FET共源、共漏放大器的电路特点，与BJT放大器的性能对比。+Vcc Rb1 Vi Rs C1 Rb2 Ce Rc C2 Vo Vi C1 C2 Re RL Vo Rb

+Vcc

Re

RL

http://www.77cn.com.cn

教育部教育管理信息中心

单片机开发与应用技术个人赛赛点解析

考试内容---基础知识部分 考试内容---基 …… 此处隐藏：4103字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……