推挽式开关电源设计(14)

电压为0。P基区和N漂移区之间形成的PN结反偏，漏源极之间没有电流通过；在导电状态，在栅源极之间加正电压UGS,栅极是绝缘的，即不会有栅极电流流过，但是栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，使得P区中的电子被吸引到栅极下面的P区表面。当UGS的电压大于开启电压（或阀值电压）UT时，栅极下P区表面的电子浓度将会超过空穴浓度，使P型半导体成N型半导体而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结消失，漏极和源极导电。UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流越大。

电力MOSFET开关时间在10-100 ns之间，其工作频率可达100kHz以上，是主要开关器件中最高的。它属于场控器件，静态时几乎不需要输入电流，但在开关过程中需对输入电容充放电，故仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率就越大。

（3） 绝缘栅极双极晶体管：绝缘栅极双极晶体管即IGBT为三端器件，分别有栅极G，集电极C，和发射极E。IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，它是场控器件，其通断由栅射极电压UGE决定。需导通时，UGE大于开启电压，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通；导通时有一压降，电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小；需关断时，栅射极间施加反压或不加信号，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。