综上所述，针对他们的优缺点，我们采用方案二，即单相桥式全控整流电路。

第2章 辅助电路的设计

2.1驱动电路的设计

2.1.1触发电路的论证与选择

1) 单结晶体管的工作原理

单结晶体管原理单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构，符号和等效电如图2.1所示。

2) 单结晶体管的特性

从图一可以看出，两基极b1和b2之间的电阻称为基极电阻。

Rbb=rb1+rb2

式中：Rb1——第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。

若在两面三刀基极b2，b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：

VA=[rb1/（rb1+rb2）]vbb=（rb1/rbb）vbb=ηVbb

式中：η——称为分压比，其值一般在0.3—0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2.2：

（1）当Ve〈ηVbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。

（2）当Ve≥ηVbb+VD VD为二极管正向压降（约为0.7V），PN结正向导通，Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对应的发射极电压和电流，分别称为峰点电压Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然Vp=ηVbb。

（3）随着发射极电流Ie的不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不再下