LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究
时间:2025-04-07
时间:2025-04-07
LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究
2009年第28卷第lO期传感器与微绦统(TranSducerandMicrosystemTechnologies)
55
LED芯片封装工艺中焊接缺陷研究冰
余大海,文矗梅,李乎,蔡有海
(重庆大学巍毫王疆学院爱毫皴拳及系统教骞部耄赢实验室,耋痰400044)
摘要:介绍了发光二极管(LED)封装工艺中常见焊接缺陷与W能存在的危害。对污染物造成的焊接缺陷作了具体研究,理论分析了因缺陷引入的接触电阻和隧道电阻,测量了正常情况和缺陷焊接时LED的
光谱和光生电流,并提出了存在缺陷焊接的LED的等效电路,对实验结果进行了分柝。结果表明:LED发生焊接块陵澈戆发光强度、宠生电浚臻显院蓬鬻淆况枣,霹泼遥过蒺l试LED芯片黪发毙强度或惫燕邀漉
达到检测LED焊接缺陷的精的。该研究对提离LED封装的可靠性和提出检测LED焊接缺陷的方法舆有
重要意义。
关键词:LED封装;焊接缺陷;接触电阻;隧邋电阻中图分类鼍:TN312
文献标识码:A
文章编号:1000-9787(2009)10-0055-03
Research
on
weldingfaultduringLEDchipspackaging宰
YUDa—hai,WENYu—mei,LIPing,CAIYou—hai
(KeyLaboratoryofOpto-electronicTechnology&Systems
of
Ministryof
Education,
CollegeofOpto-electronicEngineering,Chongqing
University,Chongqing400044,China)
Abstract:Frequentweldingfaults
andtheir
harmduring
LED
chipspackaging
ale
introduced.A
typicalblot
weldingfaultof
LED
chipsis
studied.andits
contactresistance
andtunnelingresistancea艄analyzed.Thespectral
characteristic
andphotocurrentof
LED
chips
at
thenormalandfaultweldingalemeasured.Theopto-electronic
equivalentcircuitof
weldingfaultLEDisproposed,andtheexperimentalresultisanalyzedbythecircuit.The
experimentalresultshowsthatthelightintensityandphotoeurrentoftheweldingfault
LED
chips
alemuchless
thanthatofthenormalones.Itcan
detectthe
weldingfaultof
LED
chipsbymeasuringthelightintensity
or
photocurrentofLEDchips.Theresearchisimportantforimprovingthereliabilityof
LED
packagingandproposing
the
methodofdetectingweldingfaultsduringLEDpackaging.
Key
words:LED
packaging;weldingfault;contactresistance;tunnelingresistance
O引言
接、重复焊接、焊点损伤变形、焊接引线弓丝角度不合适最
发光二极管(1ight-emittingdiode,LED)是一种半导体
为常见∽】。它们主要是肉生产工艺控制不严格,焊点未焊发光元件。LED具有使用寿命长、功耗低、环保等诸多优
接在有效区域内,生产环境洁净度不高等原因引起的。这煮,在指示程显示领域葶嚣翻了广泛的应用。隧羞大功率鑫些焊接缺鹅霹能会导致接舷邀阻增攘,爆接率鋈度下降,甚光LED出光率的不断提高,LED照骥成为可能,因此,LED至还会造成正负电极短路。从而降低元件的可靠性。本文亦被誉为“第四代照明光源”…。现阶段LED的质量检测针对污染物位于LED正电极的焊接缺陷作了具体研究,分主娶可分为封装前外延片的检测和封装后成品的筛选,尚析了该缺陷的危害及其对LED光电特性的影响。
无针对LED封装过程孛质量检测的方法。在国内, …… 此处隐藏:212字,全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……
上一篇:第十六章外汇管理
下一篇:历史练习必修二专题一和专题二