(b) 空穴也有有效质量*m*

p mn；

(c) 外场作用下，空穴k状态的变化规律和电子的相同； v p(k) vn(k)

a

(d) 空穴的加速度为qEm*

p。

四、计算题：设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极

大值附近能量Ev(k)分别为： 22222222hk3hkhkh(k k1) 1Ev(k) －EC(k) ＋ 6mm03m0m00

式中m0为电子惯性质量，k1＝ /a；a＝0.314nm。试求：

①禁带宽度；

求出导带能量极小值Emin的对应的k值：

由题中EC式可得：

求出价带能量极大值Emax的对应的k值：

kmax＝0

由Eg=EC-Ev可得：

②导带底电子有效质量；

222h282 dEC2 dk23m0m03m0