晶体电光声光磁光效应实验实验讲义

.当 m不大时（即调制电压幅度较低时），(1-8)式近似表为

1 m sin t (1-10) 22

可见系统的输出光波的幅度也是正弦变化，称正弦振幅调制。 T

图1-4表示振幅型电光调制器(Amplitude Electro-optic Modulator)的特性曲线。图中Pi(t)为输入光信号的功率，Pt(t)为输出光信号的功率，Pt(t)/Pi(t)即器件的透过率。

图1-4 线性电光效应振幅调制器的特性曲线

可以看出1/4波片的作用相当于工作点偏置到特性曲线中部线性部分，V(t)为调制电压。

在这一点进行调制效率最高，波形失真小。如不用波片（ 0=0），输出信号中只存在二次谐波分量。

对于氦氖激光，KDP的半波电压为

V 03 8.971 10V. (1-11) 32no 63

如果用KD*P（磷酸二氘钾），V 3.448 103V，调制电压仍相当高，给电路的制造带来不便。常常用环状金属电极代替透明电极，但电场方向在晶体中不一致，使透过调制器的光波的消光比下降。

(2)铌酸锂晶体横调制(Transverse Modulation)

(1-10)式表明纵调制器件的调制度近似为 m，与外加电压振幅成正比，而与光波在晶体中传播的距离（即晶体沿光轴z的厚度L，又称作用距离）无关。这是纵调制的重要特性。纵调制器也有一些缺点。首先，大部分重要的电光晶体的半波电压V 都很高。由于V 与 成正比，当光源波长较长时（例如10.6μm），V 更高，使控制电路的成本大大增加，电路体积和重量都很大。其次，为了沿光轴加电场，必须使用透明电极，或带中心孔的环形金属电极。前者制作困难，插入损耗较大；后者引起晶体中电场不均匀。