ARM Cortex-M4 的Kinetis 微控制器简介(8)

90nm TFS Flash: 比较市场需要 其他 90nm NVM 技术当遇到甚至极微小的故障时，浮栅单元 易受到电荷流失的影响 写次数增加5-10倍 读、编程和擦写电压低至 ~2.0V 增加3倍运行电流和5-10倍待机电流 90nm TFS纳米晶体电荷存储技术提供增强的可靠性 Flash访问时间 <30纳秒可靠性 & 高性能 低stop和运行 和 电流 读、编程和擦写电压低至1.71V <1毫安 低频操作电流 EEPROM 无集成EEPROM能力 片外EEPROM擦写时间较长 (5-10毫秒) 片外EEPROM耐久度较低 面积效率受限于单元结构 FlexMemory 用户可配置为EEPROM和/或程 序 flash 写时间: ~100微秒 擦写时间: 1.5毫秒 杰出的面积效率(低压充电泵用于编程操作). 阵列和模拟面积效率使低/高集成度产品更具 成本竞争力 可扩展性TFS 价值 = 可靠性, 低功耗, EEPROM, 可扩展性Freescale, the Freescale logo, AltiVec, C-5, CodeTEST, CodeWarrior, ColdFire, C-Ware, mobileGT, PowerQUICC, StarCore, and Symphony are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off. BeeKit, BeeStack, CoreNet, the Energy Efficient Solutions logo, Flexis, MXC, Platform in a Package, Processor Expert, QorIQ, QUICC Engine, SMARTMOS, TurboLink and VortiQa are trademarks of Freescale Semiconductor, Inc. All other product or service names are the property of their respective owners. © 2010 Freescale Semiconductor, Inc.8