2011 LED 产业链 研究

基LED量产，一方面是因为专利的垄断以及技术的突破难度极高，另外一方面是生产成本居高不下。

蓝宝石衬底的LED器件占LED基底的90%以上，目前蓝宝石外延片属于绝对市场垄断地位。蓝宝石外延的核心专利基本被日亚、飞利浦、欧司朗三大日欧美巨头垄断，除此之外日系丰田合成、韩系LG、三星、台系晶元光电与三巨头进行了密布的交叉授权。国外企业布局多年，从荧光粉开始、到外延、结构、芯片、封装已对中国大陆在LED中上游形成了近万个专利组成的网络进行了覆盖，只等中国大陆外延企业成长壮大后进行专利袭击。

世界上第一家量产硅衬底LED器件的厂家为江西晶能，目前可以生产100 Lm/w的白光芯片，完全具有自主知识产权。但是由于国内半导体技术基础较薄弱，晶能只能在2英寸硅<111>衬底上进行外延生长，相对比国外技术落后2-3年：飞利浦已经展示120 Lm/w暖白(150 Lm/w冷白)的超高亮硅基LED，基于3英寸硅<111>外延片。Bridgelux已于2011年3月宣布基于8英寸硅<111>上的LED结构达到照明级的135 Lm/w，而商品预计将于2年后面向市场。Aixtron、IMEC也已经开始了在8英寸硅基生长GaN层的研究(GaN on Si)，估计基于8英寸硅<111>面的LED产品将在未来短期内密集推出面向市场。硅基LED外延片可以直接使用大规模自动化现有的半导体设备从而可以极大降低LED生产成本，从而快速取代蓝宝石基底的市场。

3、国际LED生产商介绍