2011 LED 产业链 研究

仪，光谱分析仪等，主要测试参数为正反向电压、电流特性、法向光强、光强角分布、光通量、峰值波长、主波长、色光标、显色指数等。

生产设备则有MOCVD设备、液相外延炉、镀膜机、光刻机、划片机、全自动固晶机、金丝球焊机、硅铝丝超声压焊机、灌胶机、真空烘箱、芯片计数仪、芯片检测仪、倒膜机、光色电全自动分选机等

基底：

目前市面上共有三种已销售的白光(蓝光转白光)LED基底，按性能高低排列分别为碳化硅、蓝宝石、硅衬底。此三种衬底的制造工艺在LED制造产业链当中，技术含量偏低，基本属于烧炉、拉晶、切棒的较简单工艺流程，虽然国内工艺不太成熟，但难度系数一般(50%)。 外延：

由于LED只由外延过程中生长的多层量子阱(MQW)有源发光层决定，故外延质量决定一切。该环节资金要求量最大、专利垄断极为严重、准入门槛极高，难度系数最大(100%)。在设备相同(MOCVD)、原材料相同(MO源)的情况下，目前国内的外延器件只能达到最高

90-120 Lm/w的水平，远远低于台湾量产135 Lm/W，实验室190 lm/w的水平，更低于韩日、欧美水平。国内60多家外延芯片厂商，依靠自主研发水平半数以上达不到Aixtron与Veeco的工程师调出标准配方100 Lm/W的水平。

碳化硅衬底器件性能最高，且SiC与GaN晶格失配度最低(3.4%),故器件性能最高，去年的世界200 Lm/w世界记录刚刚被Cree自己打破，达到231 Lm/W。但全世界目前只有科瑞(Cree)

一家进行碳化硅