Ba0[1].6Sr0.4TiO3溅射靶材的烧制和性能分析
时间:2026-01-25
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二氧化钛
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第 l 4卷第 2期20 0 8年 4月
功能材料与器件学报J RNAL O UNC I AL MA ER A S AN VI E OU FF T ON T I L D DE C S
V 1 4, . o.1 No 2 Ap .2 0 r, 0 8
文章编号:0 7— 2 2 20 ) 2— 3 8— 4 10 4 5 (0 8 0 0 5 0
Ba 6 S o4 TO o r i 3溅射靶材的烧制和性能分析. .
张龙朱健,,卓敏( .南京电子器件研究所, 1南京 2 0 1; 10 6 2 .单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 2 0 1 ) 10 6
摘要:绍了 B T压电陶瓷靶的烧制方法,用添加剂改善了 B 0S0 TO靶材的结构和性能,介 S使 aI r i, 6 .解决了 B T靶材热稳定性差的问题,时优化了 B T靶材的晶化效果,高介电性能。实验通过 S同 S提
X D衍射和尸一E试验分析了所制 B T溅射靶的微结构和铁电特性。 R S关键词: S;电陶瓷; BT压热稳定性; R X D衍射; 试验分析 P—中图分类号: N 0 . T 34 9文献标识码: A
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Fi e pr c s nd pe f r a c na y i f Hi h—i t n iy Ba 6 r 4 O3t r e r o e sa r o m n e a l ss o g n e s t 0 S 0 Ti a g t.
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Z NG l n Z in, HU n HA o g, HU Ja Z O mi
( . aj gEet ncD v e s tt, aj g2 , h a 1 N ni l r i ei sI tue N ni 0 C i; n co c ni n 1 1 0 6 n 2 a oa K yL b f n lhcIt rt i ut a dMoue,N nig 2 0 1, hn ) .N t n l e a .o oi i ne a dCr i n d ls aj, 10 6 C ia i Mo t g e c s nAbsr c: h r g e s o a rc tn h i h—i t n iis Ba 04 O3tr e,a d m eir td i e - ta t T e p o s ff b ai g t e h g r i n e ste o6 Sr Ti a g t n lo ae t p r s
fr n e,t a ov d t e u i u tus d f c t p o lm,lw ih tm
p r t r e it n e sa iiy o T o ma c h ts le h b q io i ul r be i o h g e e a u e r ssa c tb lt fBS tr e r r s n e .A malq a t y o d iie c n p moe n ce t n a d i c e s h T l i ag twe e p e e t d s l u n i fa d tv a r t o t u la i n n r a e t e BS f msd - o i
ee t c p r r n e T i a e r vd s t e XR n —E ts n e u t,w i h i d c ts t i B T l cr e o ma c . h s p p rp o i e h D a d P i f e t g r s l i s h c n ia e h s S tr e a r sal i tu t r n o d fro l crc p ro ma c . ag th s c y t l d sr c u e a d g o e r ee ti e f r n e o K e r s: T;e re e ti t e ma tb lt XRD;— E e tn y wo d BS fro lc rc;h r lsa ii y; P t si g
O引言 B T薄膜具有优良的铁电性、电性和快开关 S压特性,线性强、电流小、非漏不易疲劳,研制 ME S是 M压控振荡器、 M ME S移相器、 MS雷达天线等器件 ME和系统潜在的优良材料;随机动态存储器在
好,质致密,以溅射 B T薄膜的方法成为研究膜所 S B T薄膜热点之一。高温烧结合成法制备的 B T S S块状靶材致密性好、度高、硬刚性强,致命的弱点但是耐受强烈的温循和热冲性能差,旦通过严酷的一磁控溅射加热条件 (含衬底加热 )易龟裂破碎,极导
( R M) D A使用 B T薄膜,以避免铁电畴的开关特 S可
性引起的疲劳 J。溅射法制备的 B T薄膜与基底 S附着力好,易脱落,机械耐久性高,阶覆盖性不且台收稿日期:0 7— 5—1; 20 0 2修订日期:0 7— 6— 7 20 0 2
致工艺无法延续,成为制靶工艺的一大难题,我们在研究中对靶材采用添加剂技术和机械压应力调解技术解决这一技术难点。
基金项目:单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助 ( o94 C 4 52
6 7 N . 10 10 00 0 )作者简介:张龙,工程师,南京电子器件研究所 ( E—m i m m@nd.n . a: e s eic ) l
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