单相半桥无源逆变器设计(9)

容量越大。一般不作严格计算，多取2000 F以上。因该系统负载不大，故取

C0=2200 F

耐压按 1.5U

DM

取250V。 1.5 156V 234V，

即选用2200 F、250V电容器。 3） IGBT的选择

因

U0

Ud2 50V

，取3倍裕量，选耐压为150以上的IGBT。由于IGBT

是以最大值标注，且稳定电流与峰值电流间大致为4倍关系，故应选用大于4倍额定负载电流的IGBT为宜。为此选用1MBH50-090型IGBT。其续流二极管选择与之配套的快速恢复二极管EDR60-100。Cl、C2为3300uF电解电容

2.3.3 整流电路保护元件的选用 1）变压器二次侧熔断器选择

由于变压器最大二次电流I2 6A，故选用10A熔芯即可满足要求。应选

用15A、250V熔断器。

2） IGBT保护电路的选择

1电容Cs的选择 ○

一般按布线电感磁场能量全部转化为电场能能量估算。即

12LbIo

2

12

Cs(Ucep Uo)

2

得Cs

LbIo

2

2

(Ucep Uo)

这里取Io为电路电压Io=3A ；为电感值Lb=L=14.7mH; Ucep为保证保护可靠， 可取稍低于IGBT耐压值为宜，这里取200V进行计算；取U0 50V； 则Cs

LbIo

2

2

(Ucep Uo)

=0.0588uF

取Cs 0.06uF，耐压300V。

2缓冲电阻R的计算 ○s