TP4056(RD)规格书(11)

能方面也是颇有用处的。当进行 PCB 板布局设计时，电路板上与充电器无关的其他热源也是必须予以考虑的，因为它们将对总体温升和最大充电电流有所影响。

增加热调节电流

降低内部 MOSFET 两端的压降能够显著减少 IC 中的功耗。在热调节期间，这具有增加输送至电池的电流的作用。对策之一是通过一个外部元件（例如一个电阻器或二极管）将一部分功率耗散掉。

实例：通过编程使一个从 5V 交流适配器获得工作电源的TP4056向一个具有 3.75V电压的放电锂离子电池设置为 800mA的满幅充电电流。假设θJA为125℃/W，则在25℃的环境温度条件下，充电电流近似为：

通过降低一个与5V交流适配器串联的电阻器两端的电压（如图3 所示），可减少片上功耗，从而增大热调整的充电电流：

TP4056

图 3 一种尽量增大热调节模式下充电电流的电路

利用二次方程可求出IBAT：

取 RCC=0.25Ω、VS=5V、VBAT=3.75V、TA=25℃且θJA= 125℃/W，我们可以计算出热调整的充电电流：IBAT＝948mA，结果说明该结构可以在更高的环境温度下输出800mA满幅充电。

虽然这种应用可以在热调整模式中向电池输送更多的能量并缩短充电时间，但在电压模式中，如果VCC变得足够低而使 TP4056处于低压降状态，则它实际上有可能延长充电时间。图 4 示出了该电路是如何随着 RCC 的变大而导致电压下降的。

当为了保持较小的元件尺寸并避免发生压降而使RCC值最小化时，该技术能起到最佳的作用。请牢记选择一个具有足够功率处理能力的电阻器。

图 4 充电电流RCC的关系曲线

VCC旁路电容器

输入旁路可以使用多种类型的电容器。然而，在采用多层陶瓷电容器时必须谨慎。由于有些类型的陶瓷电容器具有自谐振和高Q值的特点，因此，在某些启动条件下（比如将充电器输入与一个工作中的电源相连）有可能产生高的电压瞬态信号。增加一个与X5R 陶瓷电容器串联的1.5Ω电阻器将最大