高频振荡器与射随放大电路的研制 合肥学院

图 5西勒振荡器输出信号波形

方案选择：

从以上的讨论，分析不同振荡电路的性能指标及电路复杂程度。

采用西勒振荡电路，因为西勒振荡器的接入系数与克拉泼振荡器的相同，由于改变频率主要通过C5完成的，C5的改变并不影响接入系数p，所以波段内输出辅导较平稳。而且C5改变，频率变化较明显，故西勒振荡器的频率覆盖系数较大，可达1.6~1.8。

所以采用第三种设计方案完成设计任务。

2.3 射随电路

射随电路用射极跟随器实现，原理图如下图6所示：

图6 射随电路

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3 系统设计

3.1整体框图

图

7 整体框图

3.2 参数计算与元器件选择

直流通路如右图所示，下面通过计算说明各个元器件值的选取。 电源选取12V的是为了提供偏置电压。

V

=VCC BQ

R1 R2

2

，实测得 280,工程上一般取VBQ=（3~5）

V,I1 (5~10)IBQ,这里取VBQ=4V，I1 8IBQ。设静态工作点为（VCEQ，ICQ）=（6V，2mA）因为ICQ 则

I

EQ

V

BQ

VBEQ

R

CQ

4

V

R

BQ4

,

R4 2K。I1 I2

VCC

8IBQ, R1R2

I

I

BQ

0.02mA，则

R1 R2=75K，又因为V

CEQ

R R

1

2

2

=

1

，所以R1=50K，R2=25K，3

VCC ICQ(R3 R4) 故可得

2

R

3

=1K。综上述计算可得

R=50K，R

1=25K，R3=1K ，R4 2K。

交流通路如右图所示 由电路知识可得

F C

23

①