单片机作息时间控制课程设计(15)
时间:2025-04-17
时间:2025-04-17
单片机作息时间控制课程设计
成高电平,WRSR指令将无效。
芯片保护矩阵
图3-7:读状态寄存器时序
图3-8:写状态寄存器时序
读存储序列:
当从EEPROM存储序列中读时,首先把/CS拉成低电平以选择芯片,8位READ指令被传输到芯片中,接着是8位的地址。READ指令的第3位选择芯片的高位或地位,在READ代码和地址被发送以后,在选择的地址中且存储在存储器中的数据被转移到SO引线上。存储器下一个地址存储的数据通过继续提供时钟脉冲可以被读出。每一个数据的字节被转移以后地址将自动增加到更高的地址。当达到最高地址,地址计算器变为000,允许读周期无限的继续。当把/CS引脚拉成高电平时,读操作停止。
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