由（11）和（14）式，光强透过率T为 T

由（7）式 ItIi sin2 2 （15） 2

(nx ny )l 2

n0 22U3l （16） d

由此可见，δ和加在晶体上的电压有关，当电压增加到某一值时x′、y′方向的偏振光经过晶体后可产生λ/2的光程差，相应的相位差δ=π，由（15）式可知此时光强透过率T=100%，这时加在晶体上的电压称作半波电压，通常用U 表示。U 是描述晶体电光效应的重要参数。

在实验中，这个电压越小越好，如果U 小，需要的调制

信号电压也小。根据半波电压值，我们可以估计出电光效应控制透过强度所需电压。由（16）式可得到 U d() （17） 3l2n0 22

其中d和l分别为晶体的厚度和长度。由此可见，横向电光效应的半波电压与晶片的几何尺寸有关。由（17）式可知，如果使电极之间的距离d尽可能的减少，而增加通光方向的长度l，则可以使半波电压减小，所以晶体通常加工成细长的扁长方体。由（16）、（17）式可得

U U

因此，可将（15）式改写成 T sin2

2U U sin2 2U (U0 Umsin t) （18）

其中U0是加在晶体上的直流电压，Umsinωt是同时加在晶体上的交流调制信号，Um是其振幅，ω是调制频率。从（18）式可以看出，改变U0或Um，输出特性将相应的有变化。对单色光和确定的晶体来说，U 为常数，因而T