IGBT模块技术参数符号术语说明 datasheet名称解释

处于指定 C-E 间的电流(下称集电极电流)和 C-E 间的电压(下称 VCE)之间 VGE(th) 的 G-E 间的电压(下称 VGE) (C-E 间有微小电流开始流过时的 VGE 值用于作为衡量 IGBT 开始导通时的 VGE 值的尺度) 在指定的 VGE 下，额定集电极电流流过 VcE(sat) 时的 VGE 值(通常，VGE=15V,

计算损耗时重要值)

(Gate-emitter threshold voltage)集电极一发射极间的饱和电压

(Collector-emit ter saturation voltage)输入电容(Input

capacitance)输出电容

Cies

C-E 间交流性短路状态下， G-E 间和 C-E 间外加指定电压时 G-E 间的电容 G-E 间交流性短路状态下， G-E 间和 C-E 间外加指定电压时 C-E 间的电容

(Output静态特性

Coes

capacitance)反向传输电容

(Reverse transfer capacitance)二极管正向电压

Cres

在 E 接地的情况下，G-E 间外加指定电压时 C-G 间的电容在内置二极管中流过指定的正方向电流

(Forward on voltage)开通时间动态特性上升时间 (Raise time)

(通常为额定电流) 时的正方向电压 (与VCE(SAT)相同，也是计算损耗时的重要

值) tOn IGBT 开通时，VGE 上到0V 后， VCE 下降到最大值的10%时为止的时间 IGBT 开通时，从集电极电流上升到最大 tr 值的10%时开始，到 VCE 下降到最大值的10%为止的时间 tr(i) IGBT 开通时，从集电极电流上升到最大值的10%时开始，到达到90%为止的时间

(Turn-on time)

关断时间

IGBT 关断时，从 VGE 下降到最大值的 toff 90%开始，到集电极电流在下降电流的切线上下降到10%为止的时间 IGBT 关断时，集电极电流从最大值的 tf 90%开始，在下降电流的切线上下降到 10%为止的时间到内置二极管中的反向恢复电流消失为止所需要的时间

(Turn-off time)下降时间

(Fall time)反向恢复时间

(Reverse recovery time)反向恢复电流

trr

(Reverse recovery current)逆向偏压安全操作区

Irr(Irp)

到内置二极管中正方向电流断路时反方向流动的电流的峰值

关断时在指定的条件下，能够使 IGBT RBSOA 断路的电流与电压的区域(一旦超出该区域，元件可能遭到破坏) RG Qg 门极串联电阻值(标准值记载在交换时间测定条件中) 为了使 IGBT 开通， G—E 间充电的电荷量

(Reverse门极电阻

bias

safe

operation area) (Gate-resistance)门极充电电量

(Gate charge capacity)

IGBT 管、IGBT 模块热特性(Thermal resist ance characteristics) :术语热阻 (Thermal resistance) 外壳温度 (Gase temperature) Tc IGBT 的外壳温度(通常情况指 IGBT 或内置二极管正下方的铜基下的温度) Rth(c-f)

符号Rth(j-c)

定义与说明(条件请参照各种产品的说明书) IGBT 或内置二极管的芯片与外壳间的热阻运用散热绝缘混合剂，在推荐的力距值的条件下，将元件安装到冷却体上时，外壳与冷却体间的热阻

IGBT 管、IGBT 模块热敏电阻的特性(Thermistor characteristics) :术语热敏电阻 (Resistanc e) B值 (B value) B 表示在电阻-温度特性上任意2个温度间的电阻变化大小的常数 Resistance 指定温度下热敏电阻端子之间的电阻值

符号

定义与说明(条件

请参照各种产品的说明书)

IGBT 管、IGBT 模块物理化学特性术语相对漏电起痕指数

符号

定义与说明(条件请参照各种产品的说明书) 材料表面能经受住50滴电解液(0.1%氯化铵水溶液)而没有形成漏电痕迹的最高电压值，单位为 V。

(ComparativeTracking Index)

CTI

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