张永林老师版《光电子技术》(16)

加，从而导致激光热晶化壁单纯热晶化的速率要高。

5.5简述可擦重写磁光光盘读、写、擦原理。

如图9-14，目前磁光薄膜的记录方式有补偿点记录和居里点记录两类，前者以稀土－钴合金为主，后者则多为稀土－铁合金。以补偿点写入的磁介质为例来讨论磁光记录介质的读、写、擦原理。

⑴信息的写入 GdCo有一垂直于薄膜表面的易磁化轴。在写入信息前，用一定强度的磁场Ho对介质进行初始磁化，使各磁畴单元具有相同的磁化方向。在写入信息时，磁光读写头的脉冲激光聚焦在介质表面，光照微斑因升温而迅速退磁，此时通过读写头中的线圈施加一反偏磁场，就可使光照区微斑反向磁化，如图所示，而无光照的相邻磁畴磁化方向仍将保持原来的方向，从而实现磁化方向相反的反差记录。

⑵信息的读出 信息读出是利用Kerr效应检测记录单元的磁化方向。用线偏振光扫描录有信息的信道，光束到达磁化方向向上的微斑，经反射后，偏折方向会绕反射线右旋 k，如图所示。反之，若光扫描到磁化方向向下的微斑，反射光的偏振方向则左 旋一个k，以－k表示。实际测试时，使检偏器的主截面调到与－k对应的偏振方向相垂一个角度射的光束则可以通过直的方位，则来自向下磁化微斑的反射光不能通过检偏器到达探测器，而从向上磁化微斑反sin(2 k)的分量，这样探测器就有效地读出了写入的信号。

⑶擦除信息时，如图所示，用原来的写入光束扫描信息道，并施加与初始

的偏置磁场，则记录单元的磁化方向又会回复原状。 Ho方向相同

对于稀土－铁合金磁光介质，其写、读、擦原理与补偿点记录方式一样，所不同的是，这类介质有一个居里点Tc。当介质微斑温度高于Tc时，该区的矫顽力Hc很快下降至极小值。因此在记录时，应使光照微斑的温度升至Tc以上，再用偏置磁场实现反向磁化。这种记录方式叫居里点写入。

5.6光信息存储有哪些新技术？

持续光谱烧孔和三维光信息存储、电子俘获光存储技术、全息信息存储、光致变色存储。

6.1简述液晶显示的基本原理和液晶显示的特点。

入射光经过上偏振片变为线偏振光，液晶盒未加电时，光偏振面将顺着液晶分子扭曲方向旋转。90°的扭曲导致了90°的旋光。入射光就透过下偏振片，呈现亮场。当在ITO电极上加电压，使电场大于某阈值场强，液晶分子长轴就沿电场方向垂直排列，丧失了旋光能力。这样的入射线偏振光不能通过下偏振片，呈现黑色。

①由于LCD器件厚度仅数毫米，所以非常适于便携式电子装置的显示。

②工作电压低，仅几伏，用CMOS电路可直接驱动，电子线路小型化。

③功耗低，显示板功耗几十μW/cm2，采用的背光源是10 mW/cm2左右，可用电池长时间供电。

④采用彩色滤色器，易实现彩色显示。

6.3等离子体显示有什么特点？

①等离子体显示为自发光型显示，发光效率与亮度较高，视角大。由于等离子体显示单元具有很强的开关特性，能得到较高的图像对比度。