4. 1.4 42.34 4 4.. 54.64 7.半导体三管 极共极放射电大路工作原的理 大电路放分析方法的 放电大路静态工作点稳的问定 题共集电放大极路电共基极和大放路 组电合大电放 放大电路路频率的应响

141 半.体导极管三.1.1 BJ4的结T构简介.142 .放状大态下JB的工作原T理4 1.3. BT的JV-I特曲线 性.1.4 4BJ的主T参要

2数

4.1. 1JTB的结简构

(介a 小功)管率

()b小 功率管

(c 大)率功管

()d中功 管率

3

4.11.BJT的结 简介构导体半极三的管结构 意图如示所图。 示有它种类型两:NPN型 P和PN型。(a)N NP型管结示意构 (b) 图PNP型结管构示图

意c)( NP管N的电路号符() dNP管P的电路号符4

4.1

.2 放大态状下JTB的工作原理极三的管放作用是大在定一外部的条控制下，件通过载 流子传体输出现来的。于三由极内有管两种流载子( 自电子由空和)穴参与导，故称电双为极 三极管型或BT (JipBlaroJ unticno Tarsnitos)。

外部r条件发：结射正

集电结偏反偏1. 部内流载的传输过子 发程射区发：载射流 子集电：收区载流集 基区子传：和送制载流子控(以 PNN为)例IEIB+ IC =IC= ICn +IBOC放大态下状BJT中载子的传流过输 5程

2.电 流配分关系根据输过传可程知I E=I+B I CIC =In+CI CO传B到输电极集电流 设的 发射 注极入电流即

nCIIE 通常 CI >> ICBOC 则有 I EI 为流放大电系。数只它与子的结构管尺寸和掺杂度浓 有关，外加电与压无。一般 关= 0 9.0 9. 。 9放状态大下BT中J载流的传子输程过6

2. 电流分关系配 又设 1 根 I据EIB+ IC 且=

I令C=In + CCIBOI Cn I

ECEOI (=+ 1) CIBO (穿透电)

I流C I EC O 则 IBC I当 I C I CE O时 ， I B 是另一 电流个大放数系。同样，它只也管与子的结尺寸构掺和浓杂有度，关与加电压外无关。一 般 >> 1。 7

3 .极管的三种三态

BJ组T的三组态种共发射极接法发，极作为公射共电，用CE极示表； 基极接共，基法极作公为共电，用极C表示； 共集电极B法，集电接作为公共极极，用电C表示C8。

4

.放 作用大

共极基大放电路若 v =I 2mV 0 使E =i -1mA ,当 = 098 时，.

则 C i = Ei =0-.98m , vAO= - Ci R = 0L98.V, 电 压大放数 vO 倍.980 VvA 49 vI 20 Vm9

综所上述，极三的放管大作，主用要是依 靠它的射极电流能发够通过基传输，区然到 达后集极电而现实的。实现 一传这输过的两程个件条是:1)(部内件：条射区杂发浓质远度于大基区杂质浓,且度基区薄很(。2)部外条件发：射正向结偏置，集电结反

偏置。向

01

.413 .BT的VJ-I特性 线曲(共以射极放大路电例)为 . 1入特输曲线性iB =(fvE) B CEv

=cons

t1) 当(CvE0V时，=当于发射结相正的伏安特性向曲。线()2当v C≥1EV时 v,CB= vE C v-E>0,集B结已进电入偏反态，开始收状 集电子，区复基合少，减同的样vEB IB下小，减性曲线右移特

。射共极接连11

4..31 JBT的VI- 特曲性2. 输线特出曲性 iC线=(vCEf) B=conits输出性特曲线三的个区:域饱和:区i明显Cv受E控C的区域制 ，该域区，一内v般EC0<.V (硅管7) 此。时发射，正结，集偏电结偏正或 偏电压反很小 。截区：止i接C近的零区域相，i当=B 0的线的下方。此曲， 时BEv小于区 死压。 放电大：iC平区行v于C轴E区域的曲 ，基线本平等行。距时此发射结，正 偏，集电结反。偏2

1

.4.14 BTJ的主要参数. 1流电大放数系( )1共 射发极直流电流大放数系 =(I-CIEO)/IBCIC /≈ I B v C=coEst n2( 共)发极射流电流交大放数 系 = I/CI BCvE=oncts

iC的关系与线曲314.

.14 BJ的主要参T数1. 流放大电系数

3)(共基 极流直电放流系数大 (I=CI-BOC/I)≈IE/ICE(4)共基极交 流电放流系大αα数 IC= I/E vB=Cocstn

I当BO和CIEC很O时， 小 ≈、 ,可不以 ≈加分。

区14

4.1. B4JT的要主参数2 极间.向电流反(1) 集极基极间电反饱和电流I向COB 发射开路极时集，结的电反饱向电和流。

5

41..14 BT的J主要参数2. 极反向电流间 ()2集电极 射极间发反的饱和电流向CIE IOCEO(=1+ )CIOB16

4..1 BJ4T主的要数参.3极 参限数1()集 电极最大许电流允CIM(2) 集电最大极允许率损功PCM耗PCM =CVCIE17

4.

1.4BJT的主要 数参. 极限参数(3)3反向击 电压穿 V( RBC)B—O发射极开路—的时电结反集向穿击电压。 V BR() EB——O电极开集时发射结路的反向 击电穿压 。 VBR)(EOC——极基路开集时极和发电 射极间击穿电压。 几的击个电压穿如有关系 V(BR下C)O>B(VB)CRE>OVBR) EB(1O

84

..51 温对度BTJ数及特性参的响1影 .温度BJT参数对的影 响1)( 温对度CBO的影I响温 度每高1升0,I℃CO约增加一B。倍(2) 温度对 影的响 温每升高度1,℃ 值约增0大.5~%1。 %(3)温度 对向反穿电击压VBR)C(B、VOBR(C)E的O响 温影度高升时，V(BR)BCOV和BR)(EO都C有所会提高。 . 2温度对JBT性曲特线的影响19

4.2 共射极放大路电工作的原4理2.. 1基共本射放极电路大的组成基共本极放大电射20路4.

2.2 基共本极射大放电路的工原作理1. 静态直(工作状流态 输入)号v信=0时， 放大电路的i工状态作 称静态或直流为作状态工

I。BQ

BVB BEV QRb 流直通路IC QIβBQ IC O E IβBVCQQ=ECVC-CQRIc2