MIM电容的制造方法以及包含MIM电容的器件

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号

CN111128867A

（43）申请公布日 2020.05.08（21）申请号CN201911325339.8

（22）申请日2019.12.20

（71）申请人华虹半导体(无锡)有限公司

地址214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

（72）发明人刘俊文

（74）专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人黎伟

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

MIM电容的制造方法以及包含MIM电容的器件

（57）摘要

本申请公开了一种MIM电容的制造方法以

及包含MIM电容的器件，该方法包括：打开至少

三个第二层引线中的目标引线上的第三介质层，

形成第一沟槽，第三介质层形成于第二介质层

上，第二介质层形成于第一介质层上，第一介质

层中形成有至少三个第一层引线，第二介质层中

形成有至少三个第二层引线，每个第一层引线通

过第二层通孔与其上方的第二层引线电连接，第

二层通孔形成于第二介质层中；打开除目标引线