化学聚合条件对导电聚合物作阴极钽电解电容器

导电聚合物研究

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材料导报

20 0 4年 4月第 1 8卷第 4期

化学聚合条件对导电聚合物作阴极钽电解电容器性能的影响徐建华 蒋亚东 杨邦朝杨亚杰(电子科技大学光电信息学院传感器重点实验室；电子科技大学微电子与固体电子学院， 1 2成都 60 5 ) 104摘要研究了在多孔 T/ aO阳极表面原住聚合 P D导电聚合物膜的制备方法，点讨论了学聚合的组 aT E T重化

成、合温度、溶温度等对所制电容器性能的影响。究结果表明，用氧化剂与单体 E聚驱研所 DT的比例保持在 3 6围~范

内有益于提高电容器高频性能即降低 E R值；着聚合温度的升高，电容器的损耗有一定的影响；溶温度对被度 S随对驱

的薄膜导电性有较大影响，表现为电容器的 E R值变大。 S

关键词

导电聚合物 P D化学聚合钽电解电容器 ET

I l nc f Che i a l m e i a i n Co nf ue e o m c lPo y r z to ndii ns on t ope te f PEDT to he Pr r iso

Us d f r t e Ca h d s o nt l m e t o y i p c t r e o h t o e f Ta a u El c r l tc Ca a io s

XU in u JANG Ya o g YANG B n c a YANG j Ja h a I d n a gh o Yai e( Col g fOp o ee to i n o ma in,U nv r iy o e to i S in ea d Te hn l g 1 l e o t— lcr nc I f r to e i e st fElcr nc ce c n c oo y,Ch n du 6 0 4 eg 1 5; 0 2 Co lg fM ir— lcr nca d S l— lcr n c,U nv r iyo e toncS in ea d Te h oo y,Ch n d 1 0 4 le e o c o ee to i n o i ee to i d ie st fElcr i ce c n c n l g e g u6 0 5 )

Ab t a t sr c

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( EDT )b h mia o y rz to n t es ra eo a tl n a t l m e t x d— a e n d . e c e ia oy P y c e c lp l me iai n o h u f c ft n au t n au p n o ie b s d a o e Th h m c lp l— me ie rz d PEDT s u e o h a h d s o a tl m lcr l t a a i r . Pa tc lry,t e ifu n e o h mia i s d f r t e c t o e ft n au ee to y i c p ct s c o riua l h n e c f c e c l l p l me ia in c ndto s,s c o y rz to o iin u h EDT n xdzn g nts l in c mp sto a d o iii g a e out o o iin,p lme ie e e a u ea o v n o oy rz d t mp rt r nd s l e t e a o a e e e a u e n t e c p ct n ea dd s ia in fco sm a ec p ct r sd s u s d ti b n fca o v p r t d t mp r t r,o h a a ia c n isp to a t rof d a a io,i ic s e .I s e e iil a t k e h a i fc n e ta in o e p t e r to o o c n r t fEDT n x dzn g ntb t e 3~ 6 Th r p ris wo l e d t ro ae o a d o i ii g a e e we n 1: . e p o e te u d b e e ir td wih t eic e s fp lm e ie e p r t r;me n ie h ov n v p r td tm p r t r h u dc m eu o 8。 t h n r a eo oy rzd tm e a u e a wh l,t es l e te a o ae e e au es o l o p t 0Cs e y se . t p b t p

Ke wor s y dp ct r a io s

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u ee to y i a

0引言近年来，为适应电子仪器和家电产品日趋小型化、片式化和 高性能的要求，片式固体电解电容器提出了更新的要求，中对其 的一个关键技术是如何降低电容器的等效串联电阻 ( S ), ER值改进阻抗一频率特性。而其中以导电聚合物作阴极的固体电解电 容器成为近年来研究的一个热点【]与传统的固体电容器阴极 1。 Mn z比，电聚合物具有比 Mn z几十倍的导电率， O相导 O高使得其 E R值在高频下比 Mn S O要低 1 2~个数量级，而可大大提从

1实验 实验采用的钽电解电容器芯子规格为 1V/ 8F单体和氧 0 6￣,化剂购于 B yr司， ae公采用的溶剂均为分析纯，有试剂都未经所进一步处理。

将用溶剂分别稀释后的单体和氧化剂按一定比例混合，然后把已形成 T/ a的电容器芯子浸入混合溶液中，定时间 aT z Os一后取出， 4~ 8。下逐渐升温以驱除溶剂，后将其在纯水在 O 0 C之中洗去残留的氧化剂，复以上操作多次，后被覆石墨、浆，重最银形成电容器阴极。

高器件的高频性能；同时导电聚合物的“自愈”温度比 Mn , O低因此还可以在较小的漏电流下修复工艺过程中造成的氧化膜缺陷，高了电容器的可靠性；被膜工艺上，提在由于是采用原位聚合成膜，因此可避免 Mn O工艺中高温过程可能对 T 化膜 a氧 0造成的损害，小该过程对电容器性能的影响。减目前国内外作为 固体电容器阴极材料研究的导电聚合物主要有聚苯胺、吡咯、聚 聚噻吩等，文介绍了用新型导电聚合物 P D导电率：~本 E T( 1 5 0/m) 0S c作钽电解电容器阴极的一些工艺上的研究，点讨论重了原位化学聚合被膜中氧化剂与单体 E T组成、合温度、 D聚驱溶温度等对所制电容器性能的影响。对造成这些影响的因素并进行了初步分析。

用通辉 T 2 1型 L R数字电桥测试 E R值，通辉 H 87 C S用 T 65型漏电流测试仪测试漏电流。 F: a ocp H28C A M N nso eA( g t lI s r Di ia n t ume t I c )

n n .。

2结果与讨论2]氧化剂/ .单体组成对样品容量和 E R值的影响 S在溶剂用量和其它工艺条件固定的情况下，、显示了图1图2 配比在 1 8间变化时样品容量和 E R值的变化情况。图1~之 S在 中，量引出随配比增大而增大，配比大于 3容在以后基本达到稳定，在配比为 3以前容量引出有一个逐步提高的过程，剖开后从的芯子内部 P D的渗入情况可以看到，配比的增大 P D E T随 E T

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化学聚合务件对导电聚合物作阴极钽电解电容器性能影响/建华等徐被覆到芯子内部深度增加， P D被覆的表面增大，对应被 ET这着容量引出增 …… 此处隐藏：5735字，全部文档内容请下载后查看。喜欢就下载吧 ……