第9卷第2期王晓宾等：大气对舰载激光武器的影响及对策

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2）氮化镓功率密度非常高，在10GHz频率下可达10W/mm，砷化镓在这一频率下尚不足1W/mm。

3）效率大幅提升，相比传统仅10%左右的转换效率，氮化镓有着极高的转换效率。RFMicroDevicesInc.已开发出效率高达65%的75W氮化镓功率晶体管，这种晶体管工作时几乎不需要散热。

4）氮化镓耐压能力更高（击穿场强约3MV/cm）、频率特性更好。

在电子设备可靠性技术领域，热一直是制约着电子设备发挥其效能的瓶颈，而伴随着新材料、新技术、新工艺的发展，这一问题已逐步获得解答。如能将氮化镓材料应用在T/R组件的集成化设计中，相信对有源相控阵的可靠性水平又将带来一次变革，而相控阵技术的应用也会更加广泛。

杂度及费用的不必要增加；没有余量则只能按可靠性串联模型考虑，故障率会大幅增加。分析提出20%～30%的设计余量较为合理。

2）基于阵元基础的T/R组件高可靠性设计。对于T/R组件的高可靠性设计来讲，提高效率、提高耐受工作温度极限以及降低热耗是设计关键，第三代半导体的低功耗、低热耗、高耐受特性正适应了这一特点。因此新一代T/R组件的可靠性设计应伴随着第三代半导体材料氮化镓技术发展和微波集成化技术应用而深入开展。参考文献：

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4结论

通过对有源相控阵的原理及可靠性分析表明，有源相控阵可靠性设计须从以下两个方面入手。

1）基于构架层次可靠性表决模型的可靠性设计。系统构架必须基于产品功能考虑设计裕度，裕度不能过高也不能没有，过高会导致体积、质量、复